[实用新型]基于斩波技术的高精度电流基准电路有效
申请号: | 202120671599.7 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN214586614U | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 肖裕;熊擘;郑宝;马广;颜盾;陈霞;向文超 | 申请(专利权)人: | 长沙翼芯集成电路芯片有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人: | 黄艺平 |
地址: | 410000 湖南省长沙市岳麓区高新开发区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 技术 高精度 电流 基准 电路 | ||
1.一种基于斩波技术的高精度电流基准电路,其特征在于,包括:
自偏置共源共栅电流镜模块;
斩波器,所述斩波器的第一端为CLK端,所述斩波器的第二端与所述自偏置共源共栅电流镜模块的第一端电连接,所述斩波器的第三端与所述自偏置共源共栅电流镜模块的第二端电连接,所述斩波器的第四端与所述自偏置共源共栅电流镜模块的第三端电连接,所述斩波器的第五端为lout端;
PTAT基准电流产生模块,所述PTAT基准电流产生模块的第一端与所述自偏置共源共栅电流镜模块的第四端电连接,所述PTAT基准电流产生模块的第二端与所述自偏置共源共栅电流镜模块的第五端电连接。
2.根据权利要求1所述的基于斩波技术的高精度电流基准电路,其特征在于,所述自偏置共源共栅电流镜模块包括:
第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接;
第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接,所述第二PMOS管的漏极端与所述斩波器的第二端电连接;
第三PMOS管,所述第三PMOS管的源极端与所述第一PMOS管的源极端电连接,所述第三PMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的栅极端电连接;
第四PMOS管,所述第四PMOS管的源极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接,所述第四PMOS管的栅极端与所述第二PMOS管的栅极端电连接,所述第四PMOS管的漏极端与所述斩波器的第三端电连接。
3.根据权利要求2所述的基于斩波技术的高精度电流基准电路,其特征在于,所述自偏置共源共栅电流镜模块还包括:
第一电阻,所述第一电阻的第一端分别与所述斩波器的第四端和所述第一PMOS管的栅极端电连接;
第五PMOS管,所述第五PMOS管的源极端与电源端电连接,所述第五PMOS管的栅极端与所述第一电阻的第一端电连接;
第六PMOS管,所述第六PMOS管的源极端与所述第五PMOS管的漏极端电连接,所述第六PMOS管的栅极端分别与所述第一电阻的第二端和所述第四PMOS管的栅极端电连接。
4.根据权利要求3所述的基于斩波技术的高精度电流基准电路,其特征在于,所述PTAT基准电流产生模块包括:
第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极端与所述第一电阻的第二端电连接;
第二电阻,所述第二电阻的第一端与所述第一NMOS管的源极端电连接;
第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极端与所述第二电阻的第一端电连接,所述第二NMOS管的源极端与所述第二电阻的第二端电连接;
第三电阻,所述第三电阻的第一端与所述第二电阻的第二端电连接;
第三NMOS管,所述第三NMOS管的漏极端与所述第二NMOS管的源极端电连接,所述第三NMOS管的源极端与所述第三电阻的第二端电连接;
第一三极管,所述第一三极管的发射极与所述第三电阻的第二端电连接,所述第一三极管的基极与所述第一三极管的集电极电连接,所述第一三极管的集电极与接地端电连接。
5.根据权利要求4所述的基于斩波技术的高精度电流基准电路,其特征在于,所述PTAT基准电流产生模块还包括:
第四NMOS管,所述第四NMOS管漏极端与所述第六PMOS管的漏极端电连接,所述第四NMOS管的栅极端分别与所述第一NMOS管的栅极端和所述第四NMOS管的漏极端电连接;
第二三极管,所述第二三极管的发射极与所述第四NMOS管的源极端电连接,所述第二三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接,所述第二三极管的集电极与接地端电连接。
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