[实用新型]屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构有效
| 申请号： | 202120671541.2 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN215183977U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 场效应 晶体管 结构 | ||
1.一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构，其特征在于，所述场效应晶体管结构包括：
衬底；
N型外延层，形成于所述衬底上；
间隔设置的第一深沟槽及第二深沟槽，形成于所述N型外延层中；
第一BSG材料层及第二BSG材料层，所述第一BSG材料层由下向上填充于所述第一深沟槽的部分区域中，所述第二BSG材料层填充于所述第二深沟槽中；
第一P型环形层及第二P型环形层，所述第一P型环形层形成于所述第一BSG材料层的外周，所述第二P型环形层形成于所述第二BSG材料层的外周；
栅氧层，形成于所述第一深沟槽剩余部分区域的内壁上；
栅极多晶硅层，填充于所述第一深沟槽的剩余部分区域中；
P型体区，形成于所述N型外延层中；
N型源区，形成于所述P型体区中；
介质层，形成于所述N型外延层上，所述介质层中形成有栅极接触孔，所述栅极接触孔填充有金属层以形成栅端；
源端，形成于所述P型体区、N型源区及第二深沟槽上；
漏端，形成于所述衬底背面。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构，其特征在于：所述漏端包括依次沉积的钛层、镍层及银层。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构，其特征在于：所述P型体区的深度不超过所述第一P型环形层。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构，其特征在于：所述衬底的材料为硅，所述N型外延层的材料为硅，所述栅氧层的材料为氧化硅。
5.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构，其特征在于：所述第一深沟槽与所述第二深沟槽等深且等间距分布。
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