[实用新型]显示基板及显示装置有效
申请号: | 202120654569.5 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN215342609U | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 樊星;皇甫鲁江;高昊;孟秋华;张浩;李娜;李彦松 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板,包括显示区,其中,所述显示区包括排布为多行多列的多个像素单元,每个所述像素单元包括多个子像素,每个所述子像素包括发光元件和子像素驱动电路,所述发光元件包括第一电极、第二电极以及发光层,所述第一电极位于所述衬底基板上,所述第二电极位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,所述发光层位于所述第一电极和所述第二电极之间,
第一绝缘层,位于所述第一电极和所述发光层之间,其中,所述第一绝缘层包括多个第一开口,多个所述第一开口与多个所述子像素一一对应设置,所述第一开口配置为露出所述第一电极以形成所述发光元件的有效发光区,至少一个所述有效发光区至少部分围绕至少一个岛区,
其中,所述第一绝缘层包括第一绝缘图案,在所述第一电极的靠近所述衬底基板的一侧设置第二绝缘图案,在每个所述岛区沿远离所述衬底基板的方向依次设置所述第二绝缘图案、所述第一电极、所述第一绝缘图案、所述发光层以及所述第二电极,所述第一电极在所述岛区的部分与所述衬底基板的板面沿垂直于所述衬底基板的板面方向上的距离,大于所述第一电极在所述有效发光区的部分与所述衬底基板的板面沿垂直于所述衬底基板的板面方向上的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:第二绝缘层,其中,
所述第二绝缘层设置在所述第一电极的靠近所述衬底基板的一侧,
所述第一绝缘图案在所述衬底基板的板面上的正投影与所述第二绝缘图案在所述衬底基板的板面上的正投影至少部分交叠,
所述第一绝缘层与所述第一绝缘图案同层同材料设置,所述第二绝缘层与所述第二绝缘图案同层同材料设置。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述第二绝缘层具有对应于所述有效发光区的第二开口,所述第二绝缘层的围绕所述有效发光区的边缘和所述第二绝缘图案的边缘之间形成所述第二开口,
所述第二绝缘层在所述第二开口的底部所在的区域中的部分沿垂直于所述衬底基板的板面方向的厚度为0,或大于0且小于所述第二绝缘图案沿垂直于所述衬底基板的板面方向的厚度。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,还包括:第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层靠近所述衬底基板的一侧,所述第三绝缘层具有位于所述岛区的第三绝缘图案,
所述第三绝缘图案与所述衬底基板的板面沿垂直于所述衬底基板的板面方向上距离,大于所述第三绝缘层位于所述有效发光区的部分与所述衬底基板的板面沿垂直于所述衬底基板的板面方向上距离。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第三绝缘层的位于有效发光区的部分在垂直于所述衬底基板的板面方向的厚度小于,所述第三绝缘层围绕所述有效发光区的部分在垂直于所述衬底基板的板面方向的厚度。
6.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第二绝缘图案具有位于其边缘处的侧面,所述侧面的切线与所述衬底基板的板面所在平面交叉,交叉角度为第一角度α1,
所述第一电极具有覆盖所述第二绝缘图案的第一子部,
所述第一子部的边缘处的侧面的切线与所述衬底基板的板面所在平面交叉,交叉角度为第二角度α2,所述第二角度α2与所述第一角度α1的大小大致相同,
第一角度α1的取值范围为15度至70度。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一绝缘图案包括相互分离的至少一个绝缘图案子部,所述第二绝缘图案包括至少一个凸部,
所述至少一个绝缘图案子部分别覆盖所述至少一个凸部的至少部分,以及所述至少一个凸部在所述衬底基板的板面上的正投影和所述至少一个绝缘图案子部在所述衬底基板的板面上的正投影,与所述第一子部在所述衬底基板的板面上的正投影均交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的