[实用新型]用于激光器与单模硅波导间的耦合结构

权利要求书

1.一种用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，其特征在于，所述耦合结构包括：

直波导；

锥形波导，所述锥形波导的输入端连接于所述直波导；

单模硅波导，连接于所述锥形波导的输出端；

所述直波导与所述锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，所述交替层叠的次数为2次以上，所述单模硅波导包括插入至所述锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于所述锥形波导的第二硅波导段，所述第一硅波导段被所述锥形波导最下层的所述二氧化硅层包裹。

2.根据权利要求1所述的用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，其特征在于：所述交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层中，所述二氧化硅层的厚度介于0.1μm至0.5μm之间，氮化硅层的厚度介于0.3μm至0.9μm之间。

3.根据权利要求1所述的用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，其特征在于：所述锥形波导的长度介于40μm至45μm之间，输入端的宽度介于4μm至6μm之间，输出端的宽度介于0.5μm至1μm之间。

4.根据权利要求1所述的用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，其特征在于：所述单模硅波导的高度介于0.15μm至0.3μm之间，宽度介于0.4μm至0.6μm之间。

5.根据权利要求1所述的用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，其特征在于：所述第一硅波导段的长度与所述锥形波导的长度相等。

6.根据权利要求1所述的用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，其特征在于：所述直波导与所述锥形波导上还包括二氧化硅上包层。