[实用新型]一种低热阻半导体激光器

权利要求书

1.一种低热阻半导体激光器，其特征在于：包括激光发光单元、台阶状支撑台、聚焦镜组和输出光纤，所述支撑台包括高度依次降低且顺次连接的高阶台阶、中阶台阶和低阶台阶，每一所述激光发光单元包括位于所述高阶台阶的激光芯片、贴设于所述激光芯片出光面的快轴准直器和处于对应快轴准直器出光方向且位于低阶台阶的慢轴准直器，所述慢轴准直器的出射光通过所述聚焦镜组聚焦后进入所述输出光纤被传出。

2.如权利要求1所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：所述激光器还包括壳体，所述支撑台、聚焦镜组和输出光纤均固定于所述壳体的底板，所述底板为连接换热器的冷板。

3.如权利要求2所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：所述支撑台包括并排设置的多个台阶部，每一所述台阶部均具有多个台阶，分别为所述高阶台阶、中阶台阶和低阶台阶，所述激光发光单元具有多个，且与多个所述台阶部一一对应设置。

4.如权利要求3所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：多个所述台阶部从左至右依次排列，且从左侧第二个台阶部开始，每一所述台阶部的台阶均低于位于其左侧且与之对应的台阶的高度；每一所述激光发光单元还包括光转向器，所述光转向器的入射面位于对应的慢轴准直器的出光方向，所述光转向器的出射面朝向所述聚焦镜组，所述光转向器固定于对应的低阶台阶或者固定于所述支撑台之外的所述底板，且所述光转向器射出的转向光均越过位于其右侧的光转向器射入所述聚焦镜组，所述聚焦镜组位于所述支撑台的右方。

5.如权利要求4所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：所述支撑台为一体成型结构。

6.如权利要求4所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：从左侧第二个台阶部开始，每一所述台阶部的中阶台阶均低于位于其左侧的台阶部的低阶台阶的高度。

7.如权利要求4所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：所述聚焦镜组包括沿激光传递方向依次设置的快轴聚焦镜和慢轴聚焦镜，被所述光转向器转向的光束依次穿过所述快轴聚焦镜、慢轴聚焦镜，最后射入所述输出光纤。

8.如权利要求4所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：所述光转向器为反射镜。

9.如权利要求4所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：同一台阶部中的高阶台阶、中阶台阶和低阶台阶具有相同的宽度，所述台阶部的宽度方向垂直于对应激光芯片的出光方向，同一台阶部中的高阶台阶的长度、中阶台阶的长度和低阶台阶的长度依次递减，所述台阶部的长度方向平行于对应激光芯片的出光方向。

10.如权利要求4所述的低热阻半导体激光器，其特征在于：所有高阶台阶均背靠所述壳体的侧壁，至少部分所述低阶台阶的前端抵顶所述壳体的另一侧壁，所述侧壁与另一侧壁相对设置。