[实用新型]一种超低动态阻抗双向TVS有效
| 申请号： | 202120615227.2 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN214313218U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;陆亚斌;王成 | 申请（专利权）人： | 傲威半导体无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 动态 阻抗 双向 tvs | ||
【权利要求书】：
1.一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于，包括：
衬底层，该衬底层为第一导电类型；
基区层，该基区层为第二导电类型，并形成于衬底层上；
浅槽结构，该浅槽结构形成于基区层中，其深度小于基区层的深度，在浅槽结构两侧形成第一导电类型的有源区，浅槽结构具有复数个，各浅槽结构之间留有间隔，形成梳齿式布局；
浅槽填充层，该浅槽填充层形成于浅槽结构内部；
电极，该电极采用表面多层金属化引出。
2.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：
衬底层的电阻率为1ohm·cm～50ohm·cm。
3.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：
第一导电类型的有源区的电阻率为0.01ohm·cm～0.1ohm·cm。
4.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：
浅槽结构为环形，并环绕于第一导电类型的有源区外侧。
5.根据权利要求4所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：
浅槽结构的深度为1μm～2μm，宽度为0.35μm～3μm。
6.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：
浅槽填充层由氧化层形成。
7.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于，浅槽填充层由掺杂多晶硅形成，掺杂多晶硅为第二导电类型。
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