[实用新型]一种HPLC运维芯片充电电路有效
申请号: | 202120614926.5 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN214590678U | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 于飞;袁辰鑫;余宾宛;岳小京;何旭;郑军;王方楠 | 申请(专利权)人: | 于飞 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 726099 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 hplc 芯片 充电 电路 | ||
1.一种HPLC运维芯片充电电路,其特征在于:包括控制单元(1)、充电单元(2)和过欠载保护单元(3),所述充电单元(2)和过欠载保护单元(3)均连接控制单元(1);
所述充电单元(2)包括降压芯片(4),所述降压芯片(4)EN端分别连接电容C(3c)一端和IN端,GND端接地,所述降压芯片(4)BST端连接电容D(4c)一端,所述降压芯片(4)SW端分别连接电容D(4c)另一端和二极管D(4b)负极,所述二极管D(4b)正极接地;
还包括变压器(5),所述变压器(5)一端连接二极管D(4b)负极,所述变压器(5)另一端分别连接电容E(5c)一端、电阻F(6a)一端,所述电阻F(6a)另一端分别连接电阻G(7a)一端和降压芯片(4)FB端,所述电阻G(7a)另一端分别连接电容E(5c)另一端、二极管D(4b)正极并接地;
所述过欠载保护单元包括开关(6)、三极管(7)、场效应晶体管(8)、双向触发二极管(9)和双向可控硅管(10),三极管(7)基极分别连接二极管B(2b)负极和电阻D(4a)一端,集电极分别连接场效应晶体管(8)栅极和电阻B(2a)一端,三极管(7)发射极分别连接场效应晶体管(8)源极和电阻D(4a)另一端,场效应晶体管(8)漏极分别连接二极管C(3b)负极和电容B(2c)一端,电容B(2c)另一端分别连接双向触发二极管(9)一端和电阻E(5a)一端,电阻E(5a)另一端连接双向可控硅管(10)一端,双向可控硅管(10)另一端分别连接双向触发二极管(9)另一端和三极管(7)发射极,二极管C(3b)正极分别连接电阻A(1a)一端和二极管B(2b)正极,电阻A(1a)另一端连接开关(6)一端,开关(6)另一端连接二极管A(1b)正极,二极管A(1b)负极串联连接电阻B(2a)、电容A(1c),电容A(1c)两端并联电阻C(3a)。
2.根据权利要求1所述的一种HPLC运维芯片充电电路,其特征在于:所述控制单元采用STM32单片机。
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