[实用新型]一种仿生学双螺旋闭环整流组件有效
| 申请号: | 202120602331.8 | 申请日: | 2021-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN214477439U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 陈岗;夏冰成 | 申请(专利权)人: | 鞍山雷盛电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/13;H01L23/14 |
| 代理公司: | 鞍山嘉讯科技专利事务所(普通合伙) 21224 | 代理人: | 张群 |
| 地址: | 114000 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 仿生学 双螺旋 闭环 整流 组件 | ||
本实用新型提供一种仿生学双螺旋闭环整流组件,为双螺旋结构,包括螺旋结构骨架、输入均压环、输出均压环、电极板和硅堆棒;两个螺旋结构骨架对向布置,其上下端共同固定在两个电极板之间,两个电极板中的一个电极板固定在输入均压环内,另一个固定在输出均压环内,多个硅堆棒由上至下依次固定在两个螺旋结构骨架之间,上、下硅堆棒之间通过螺旋结构骨架外面的导电软板电气连接。采用仿生学DNA螺旋闭环结构,将硅堆布置在双螺旋结构之间,极大的改善了硅堆的散热环境。
技术领域
本实用新型涉及硅堆技术领域,特别涉及一种仿生学双螺旋闭环整流组件。
背景技术
高压硅堆是由多只高压整流二极管串联而成的半导体分立器件,是高压整流电路中将交流变成直流必不可少的分立器件,其具有反向耐压高、耐冲击效果好及可靠性高等特点。由于二极管反向电压从几百伏到上千伏不等,受目前半导体芯片制造工艺的限制,无法采用单只整流二极管来达到如此高的电压,因此,常采用多只二极管串联来提高反向耐压值。
高电压大功率等级硅堆对其散热的要求很高。
发明内容
为了克服背景技术中的不足,本实用新型提供一种仿生学双螺旋闭环整流组件,属于硅堆设计领域,采用仿生学DNA螺旋闭环结构,将硅堆布置在双螺旋结构之间,极大的改善了硅堆的散热环境。
为了达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案实现:
一种仿生学双螺旋闭环整流组件,为双螺旋结构,包括螺旋结构骨架、输入均压环、输出均压环、电极板和硅堆棒;两个螺旋结构骨架对向布置,其上下端共同固定在两个电极板之间,两个电极板中的一个电极板固定在输入均压环内,另一个固定在输出均压环内,多个硅堆棒由上至下依次固定在两个螺旋结构骨架之间,上、下硅堆棒之间通过螺旋结构骨架外面的导电软板电气连接。
进一步地,所述的硅堆棒为圆柱体结构,其内部为由多个串联的二极管构成的硅堆,由绝缘材料封装,圆柱体的两个端部设有金属预埋件,用于硅堆的输入输出导电。
进一步地,所述的输入均压环、输出均压环均为圆盘形结构,圆盘形的外围凸起为均压环,圆盘形的中心安装有外连接件。
进一步地,电极板为圆盘形结构,安装在输入均压环或输出均压环内,电极板四周设有通孔,用于固定螺旋结构骨架的端部。
进一步地,所述的螺旋结构骨架由柔性绝缘材料制成。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型提供一种仿生学双螺旋闭环整流组件,采用仿生学DNA螺旋闭环结构,将硅堆布置在双螺旋结构之间,极大的改善了硅堆的散热环境;
2、本实用新型输入输出端增加均压结构能够平稳电流电压。
附图说明
图1是本实用新型的整体结构平面图;
图2是本实用新型的立体结构图1;
图3是本实用新型的立体结构图2;
图4是本实用新型的硅堆棒立体图;
图5是本实用新型的硅堆棒内部截面图;
图6是本实用新型的输入均压环/输出均压环结构图;
图7是本实用新型的电极板结构图。
图中:1-螺旋结构骨架2-输入均压环3-输出均压环4-硅堆棒5-导电软板6-电极板7-外连接件8-二极管9-绝缘材料10-金属预埋件11-通孔。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型提供的具体实施方式进行详细说明。
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