[实用新型]量子点显示面板及显示装置有效
申请号: | 202120600940.X | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN214226913U | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;李广洋;袁海江 | 申请(专利权)人: | 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张海燕 |
地址: | 239000 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提供了一种量子点显示面板及显示装置,量子点显示面板包括第一基板、黑色矩阵、垫高层和混合像素层,黑色矩阵于第一基板上形成有多个凹槽,垫高层开设有多个通孔,通孔与凹槽一对一连通并组成容置槽,混合像素层设于第一基板上,混合像素层包括红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元,红色像素单元由红色量子点材料构成,绿色像素单元由绿色量子点材料构成,蓝色像素单元留空以供蓝光透过,红色量子点材料和绿色量子点材料分别填充于对应的容置槽内。本申请通过垫高层、黑色矩阵与第一基板围合形成深度比凹槽深的容置槽,使填充在不同容置槽内的红色量子点材料和绿色量子点材料具有足够的厚度,从而解决了量子点层的厚度较薄的问题。
技术领域
本申请属于显示装置的技术领域,更具体地说,是涉及一种量子点显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的蓬勃发展,高色域已经成为显示装置一个重要发展方向。高色域意味着显示画面具有更加丰富多彩的色彩,具有更强的色彩展现能力。QD(Quantum Dot,量子点)显示技术属于半导体纳米晶体技术,可以准确输送光线,高效提升显示屏的色域值以及视角,让色彩更加纯净鲜艳,使色彩表现更具张力,采用该技术的显示装置不仅能产生色域范围更广的动态色彩,还能在画质中展现真实的色板,超越了传统意义上的背光技术。
Micro LED(Micro light emitting diode,微型发光二极管)通常是指在传统的LED芯片结构的基础上,将LED芯片的尺寸规格缩小到200微米以内的尺寸,将红、绿、蓝三色Micro LED按照一定的规则排列在TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)或COMS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)上,形成了能够实现全彩显示的微器件。此种显示装置具有独立控制的显示画素,具有独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和超高色彩饱和度等特点,并且Micro LED显示装置由于具有自发光的技术特性,还可以实现柔性、透明显示等,而其耗电量仅约为液晶面板的10%。
现有的Micro LED彩色化方案主要有两种,一种是采用RGB三色Micro LED芯片,另一种是通过Micro LED芯片结合量子点荧光材料的彩色化方案。二者各自具有优缺点,其中,由于量子点尺寸小,可实现色域高,因此Micro LED芯片结合量子点荧光材料的方案为当前重要的研究方向。然而,在目前的Micro LED芯片结合量子点荧光材料的方案中量子点层的厚度较薄,导致量子点的浓度猝灭严重、光转换效率低下。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种量子点显示面板及显示装置,包括但不限于解决量子点层的厚度较薄的技术问题。
为了实现上述目的,本申请采用的技术方案是:提供了一种量子点显示面板,包括:
第一基板;
第二基板,相对并间隔设于所述第一基板的一侧;
黑色矩阵,设于所述第一基板上,并于所述第一基板上形成有多个凹槽;
垫高层,覆盖于所述黑色矩阵上,所述垫高层开设有多个通孔,所述通孔与所述凹槽一对一连通并组成容置槽;
混合像素层,设于所述第一基板上,所述混合像素层包括红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元,所述红色像素单元由可受蓝光激发发出红光的红色量子点材料构成,所述绿色像素单元由可受蓝光激发发出绿光的绿色量子点材料构成,所述蓝色像素单元留空以供蓝光透过,所述红色量子点材料和所述绿色量子点材料分别填充于对应的所述容置槽内;以及
蓝色发光层,设于所述第二基板上,所述蓝色发光层包括多个用于发出蓝光的微型发光二极管。
在一个实施例中,所述量子点显示面板还包括:
封装层,覆盖于所述垫高层上以封盖所述容置槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的