[实用新型]一种高抗光损伤阈值RTP开关有效

专利信息
申请号: 202120541613.1 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN214280417U 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 赵修强;冯骥;翟娜娜;周婧 申请(专利权)人: 山东辰晶光电科技有限公司
主分类号: H01S3/115 分类号: H01S3/115
代理公司: 天津市君砚知识产权代理有限公司 12239 代理人: 张东浩
地址: 250000 山东省济南市历*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 高抗光 损伤 阈值 rtp 开关
【权利要求书】:

1.一种高抗光损伤阈值RTP开关,其特征在于:包括开关底座(1)和晶体元件(5),所述开关底座(1)一侧设置有固定轴(7),所述固定轴(7)下方设置有接铸件(6),所述固定轴(7)内侧固定有连接件(13),所述连接件(13)一侧连接有高抗光元件(2),所述高抗光元件(2)一侧设置有所述晶体元件(5),所述固定轴(7)上方设置有电极接口A(3),所述电极接口A(3)一侧设置有电极接口B(4),所述电极接口A(3)和所述电极接口A(3)外侧设置有相位补偿片(14),所述晶体元件(5)前方设置有前通透晶体(8),所述晶体元件(5)后方设置有后通透晶体(9),所述晶体元件(5)上层设置有V+层(10),所述晶体元件(5)下方设置有V-层(11),所述电极接口A(3)和所述电极接口A(3)下方设置有金属套环(12)。

2.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值RTP开关,其特征在于:所述接铸件(6)设置在所述开关底座(1)和所述固定轴(7)外侧。

3.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值RTP开关,其特征在于:所述高抗光元件(2)固定在所述连接件(13)和所述晶体元件(5)之间。

4.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值RTP开关,其特征在于:所述金属套环(12)外层与所述相位补偿片(14)连接。

5.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值RTP开关,其特征在于:所述前通透晶体(8)和所述后通透晶体(9)为高抗光晶体。

6.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值RTP开关,其特征在于:所述晶体元件(5)的电阻率约1011-1012Ω·cm和抗光损伤阈值。

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