[实用新型]一种散热效果好的LED芯片

说明书

本实用新型涉及LED芯片技术领域，公开了一种散热效果好的LED芯片，包括衬底、设置在衬底上的N型层、设置在N型层的一侧上的MQW层、设置在MQW层上的P型层、设置在P型层上的透明导电层、以及设置在透明导电层的一侧上的DBR结构，N型层的另一侧上和透明导电层的另一侧上均设置有第一PAD层，第一PAD层上设置有第二PAD层，DBR结构包括从下至上依次设置的DBR+Al₂O₃层、Al层和Al₂O₃+DBR层。本实用新型的DBR结构通过从下至上依次设置的DBR+Al₂O₃层、Al层和Al₂O₃+DBR层的设计，大大提高了散热效率，具有优良的散热效果，有效防止UVC芯片效率低热量大而发生过热，能够应用于高反射率的薄膜，适用范围广。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，特别是涉及一种散热效果好的LED芯片。

背景技术

UVC倒装LED通常使用相似的蓝光倒装LED芯片制造技术，为提高出光效率，会在倒装芯片中加入反射层。但是UVC倒装LED由于波长短，能形成良好发射效果的薄膜很少，一般只有DBR和金属Al，且常规TiO2的DBR反射率极低，需使用其他金属氧化物材料；另外，由于DBR散热慢，导致UVC芯片效率低热量大，容易发生过热；而Al因很难与P型层形成欧姆接触，因此在UVC倒装芯片中应用高反射率薄膜存在一定困难。

实用新型内容

本实用新型所要解决的问题在于，提供一种散热效果好的LED芯片，散热效率高，散热效果好，在UVC倒装LED芯片中更有利于应用高反射率薄膜，适用范围广。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种散热效果好的LED芯片，包括衬底、设置在所述衬底上的N型层、设置在所述N型层的一侧上的MQW层、设置在所述MQW层上的P型层、设置在所述P型层上的透明导电层、以及设置在所述透明导电层的一侧上的DBR结构，所述N型层的另一侧上和所述透明导电层的另一侧上均设置有第一PAD层，所述第一PAD层上设置有第二PAD层，所述DBR结构包括从下至上依次设置的DBR+Al₂O₃层、Al层和Al₂O₃+DBR层。

作为本实用新型优选的方案，所述DBR+Al₂O₃层与位于所述透明导电层上的第一PAD层接触。

作为本实用新型优选的方案，所述Al₂O₃+DBR层位于所述DBR+Al₂O₃层和所述Al层的上方并填充于所述DBR+Al₂O₃层和所述Al层之间。

作为本实用新型优选的方案，所述第一PAD层的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au。

作为本实用新型优选的方案，所述第二PAD层的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au、AuSn。

作为本实用新型优选的方案，所述Al₂O₃+DBR层中的Al₂O₃的厚度为0.05μm－0.1μm。

作为本实用新型优选的方案，所述Al₂O₃+DBR层中的Al₂O₃的厚度为0.05μm－0.1μm。

实施本实用新型的散热效果好的LED芯片，与现有技术相比较，具有如下有益效果：