[实用新型]一种条形化Micro LED芯片有效

申请号：	202120537648.8	申请日：	2021-03-15
公开（公告）号：	CN214505495U	公开（公告）日：	2021-10-26
发明（设计）人：	张洪安;陈慧秋;武杰;易翰翔;李玉珠	申请（专利权）人：	广东德力光电有限公司
主分类号：	H01L27/15	分类号：	H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38
代理公司：	广州三环专利商标代理有限公司 44202	代理人：	颜希文;管莹
地址：	529000 ***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种条形 micro led 芯片
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【权利要求书】：

1.一种条形化Micro LED芯片，其特征在于：包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层上镀设有N型电极层，所述P型GaN层上镀设有P型电极层，其特征在于：所述GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，所述隔离槽将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，所述隔离槽位于所述N型GaN层的上方且裸露所述N型GaN层的顶面，所述P型电极层将处于同一横列或同一数列的所述P型GaN层连接。

2.根据权利要求1所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与所述N型电极层一体成型的内置N型电极层，所述内置N型电极层的侧边与所述发光单元相隔。

3.根据权利要求2所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述内置N型电极层的高度与所述发光量子阱层持平。

4.根据权利要求2所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述发光单元上设有保护层，且所述保护层上设有裸露所述P型电极层的导电通道，所述内置N型电极层由所述保护层包覆。

5.根据权利要求4所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述P型电极层通过所述导电通道凸出于所述P型GaN层。

6.根据权利要求1所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述N型GaN层上设有台阶，所述发光单元设于所述台阶上。

7.根据权利要求1所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述P型GaN层与所述P型电极层之间设有ITO层。

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