[实用新型]一种移相控制电路、系统及一种通气治疗设备

权利要求书

1.一种移相控制电路，其特征在于，所述电路包括：第一过零点检测单元、第二过零点检测单元、积分触发单元、驱动能力增强单元；

所述第一过零点检测单元和所述第二过零点检测单元均接收交流电信号，输出方波信号至所述积分触发单元，所述方波信号表征所述交流电信号的正负半周分别过零点的状态；

所述积分触发单元接收所述方波信号，输出窄脉冲触发信号至所述驱动能力增强单元；

所述驱动能力增强单元接收所述窄脉冲触发信号，输出移相控制信号至可控硅。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述方波信号包括：正半周方波信号和负半周方波信号；所述第一过零点检测单元包括：第一比较器；

所述第一比较器接收所述交流电信号，所述第一比较器输出所述正半周方波信号至所述积分触发单元；或者

所述第一比较器接收所述交流电信号，所述第一比较器输出所述负半周方波信号至所述积分触发单元。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第二过零点检测单元包括：第二比较器；

所述第二比较器接收所述交流电信号，所述第二比较器输出所述正半周方波信号至所述积分触发单元；或者

所述第二比较器接收所述交流电信号，所述第二比较器输出所述负半周方波信号至所述积分触发单元。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述积分触发单元包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一三极管、第二三极管以及第三比较器；

所述第一电阻的第一端与第一基准电压端连接，所述第一基准电压端产生基准电压；

所述第一电阻的第二端与所述第一比较器的输出端、所述第一电容的第一端分别连接；

所述第一电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接；

所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端、所述第一三极管的基极分别连接；

所述第三电阻的第二端和所述第一三极管的发射极均接地；

所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极、所述第七电阻的第二端、所述第三电容的第一端、所述第三比较器的同相端分别连接；

所述第四电阻的第一端与第二基准电压端连接，所述第二基准电压端产生所述基准电压；

所述第四电阻的第二端与所述第二比较器的输出端、所述第二电容的第一端分别连接；

所述第二电容的第二端与所述第五电阻的第一端连接；

所述第五电阻的第二端与所述第二三极管的基极、所述第六电阻的第一端分别连接；

所述第六电阻的第二端和所述第二三极管的发射极均接地；

所述第三比较器的反相端接收参考电压；

所述第三比较器的输出端与所述驱动能力增强单元连接；

所述第七电阻的第一端与第三基准电压端连接，所述第三基准电压端产生所述基准电压。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述驱动能力增强单元包括：第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第四电容、二极管、第三三极管以及光电可控硅；

所述第八电阻的第一端与第四基准电压端连接，所述第四基准电压端产生所述基准电压；

所述第八电阻的第二端与所述第三比较器的输出端、所述第九电阻的第一端分别连接；

所述第九电阻的第二端与第四电容的第一端连接；

所述第四电容的第二端与所述二极管的阴极、所述第十电阻的第一端、所述第三三极管的基极分别连接；

所述二极管的阳极接地；

所述第三三极管的发射极接地；

所述第三三极管的集电极与所述光电可控硅的第二端连接；

所述光电可控硅的第一端与所述第十一电阻的第二端连接；

所述第十一电阻的第一端与第五基准电压端连接，所述第五基准电压端产生所述基准电压；

所述光电可控硅的第三端、第四端均与所述可控硅连接。

6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第三比较器的同相端，接收所述第三电容的第一端上的积分电压；

所述第三比较器在所述积分电压的值大于所述参考电压的值时，输出所述窄脉冲触发信号至所述驱动能力增强单元。