[实用新型]一种显示基板、显示器件及显示装置有效
| 申请号: | 202120517475.3 | 申请日: | 2021-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN214753763U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | 黄建雄;杨国波;蒋冬华;赵永亮;董中飞;袁洪光 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;陈丽宁 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 器件 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:衬底基板、设置于衬底基板之上的第一绝缘膜层及位于所述第一绝缘膜层的远离所述衬底基板的一侧表面上的第一导电膜层,所述第一导电膜层包括第一导电图形;其特征在于,在所述第一绝缘膜层的远离所述衬底基板的一侧表面上设有凹槽,所述第一导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述凹槽在所述衬底基板上的正投影重合,所述第一导电图形位于所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一导电图形在第一方向上的膜层厚度大于或等于所述凹槽在所述第一方向上的槽体深度,所述第一方向垂直于所述衬底基板。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一导电图形在垂直于所述衬底基板的方向上的横截面为正梯形,所述凹槽在垂直于所述衬底基板的方向上的横截面为倒梯形。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽在第二方向上的槽体宽度大于或等于所述第一导电图形在所述第二方向上的线宽,所述第二方向平行于所述衬底基板且垂直于所述第一导电图形的走线方向。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:第二导电层,所述第二导电层位于所述第一绝缘膜层的靠近所述衬底基板的一侧;在所述第一绝缘膜层上还设有过孔,所述第一导电图形在所述过孔与所述第二导电层搭接。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,
所述显示基板包括由靠近所述衬底基板的一侧向远离所述衬底基板的一侧依次设置的:第一栅极层、第一栅绝缘层和第一源漏金属层;其中至少一个所述第一绝缘膜层包括所述第一栅绝缘层,至少一个所述第一导电膜层包括所述第一源漏金属层,至少一个所述第二导电层包括所述第一栅极层。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,
所述第一源漏金属层的第一导电图形包括显示信号走线,所述显示信号走线包括数据线、电源电压线中至少一种走线。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述显示基板包括由靠近所述衬底基板的一侧向远离所述衬底基板的一侧依次设置的:第一栅极层、第一栅绝缘层、第一源漏金属层、第一平坦层、第二源漏金属层和第二平坦层。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,
至少一个所述第一导电膜层包括所述第二源漏金属层,至少一个所述第一绝缘膜层包括所述第一平坦层。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,
所述第二源漏金属层上的第一导电图形包括显示信号走线,所述显示信号走线包括数据线、电源电压线中至少一种走线。
11.一种显示器件,其特征在于,包括如权利要求1至10任一项所述的显示基板。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11所述的显示器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





