[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管

说明书

一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括：衬底，其包括终端区及主动区，所述终端区围绕所述主动区；主动区包括具有第一延伸方向的第一主动沟槽和具有第二延伸方向的第二主动沟槽，第一延伸方向与第二延伸方向不同。本实用新型在衬底上设计两种朝向的沟槽，解决衬底应力集中而导致晶片翘曲的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其是一种遮蔽栅极式沟槽晶体管。

背景技术

屏蔽栅极沟槽(Shield-Gate-Trench，SGT)结构因其具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET垂直耗尽(P-Body/N-Epi结)基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压，该结构在中低压(应用于5V-60V)的功率器件领域得到广泛应用。传统的SGT结构，先通过一道刻蚀形成沟槽，然后在沟槽内生长屏蔽电极介质层。如图1所示，衬底上的沟槽包括终端沟槽1和主动沟槽2，某些SGT需要深沟槽结构，如应用于40V-60V的SGT MOSFET器件，若衬底上只形成同一方向的深沟槽，衬底容易出现应力集中而导致晶片翘曲。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，解决衬底应力集中而导致晶片翘曲的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括：

衬底，其包括终端区及主动区，终端区围绕主动区；

主动区包括具有第一延伸方向的第一主动沟槽和具有第二延伸方向的第二主动沟槽，第一延伸方向与第二延伸方向不同。

本实用新型在衬底上设计两种朝向的沟槽，解决衬底应力集中而导致晶片翘曲的问题。

作为改进，第一延伸方向与第二延伸方向相互垂直。

作为改进，主动区内设有一个以上的第一主动区和一个以上的第二主动区，第一主动区设有多个相互平行的第一主动沟槽，第二主动区设有多个相互平行的第二主动沟槽。

作为改进，第一主动区和第二主动区交错分布。

作为改进，第一主动区的面积和第二主动区的面积不同。

本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是：

在衬底上设计两种相互垂直的主动沟槽，解决衬底应力集中而导致晶片翘曲的问题。

附图说明

图1为现有技术衬底沟槽分布图。

图2为本实用新型第一种衬底沟槽分布图。

图3为本实用新型第二种衬底沟槽分布图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型作进一步说明。

如图2、3所示，一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底，衬底包括终端区1及主动区，终端区1围绕主动区。主动区包括具有第一延伸方向的第一主动沟槽21和具有第二延伸方向的第二主动沟槽22，第一延伸方向与第二延伸方向不同，本实施例的第一延伸方向与第二延伸方向相互垂直。主动区内设有一个以上的第一主动区和一个以上的第二主动区，第一主动区设有多个相互平行的第一主动沟槽21，第二主动区设有多个相互平行的第二主动沟槽22。

为了平衡衬底的应力，第一主动区和第二主动区交错分布配置。此外，亦可视衬底的实际应力分布状况来分配第一主动区的面积和第二主动区的面积，所以第一主动区的面积和第二主动区的面积可以相同或不同

本实用新型在衬底上设计两种相互垂直的主动沟槽，解决衬底应力集中而导致晶片翘曲的问题。