[实用新型]一种适用于WLCSP芯片的封装结构

说明书

本实用新型涉及一种适用于WLCSP芯片的封装结构，包括第一导电部和第二导电部，第一导电部的正面的中部上设置有基岛，在基岛的范围内至少设置有一个WLCSP芯片，第一导电部的边缘连接有第二导电部，第二导电部与第一导电部成一夹角，第二导电部与第一导电部的正面的内角为90°‑180°。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装领域，特别是涉及一种适用于WLCSP芯片的封装结构。

背景技术

通常在单个半导体晶圆上制造数十或者数百的集成电路(IC)管芯，通过沿分割线锯割集成电路来分成多个单独的管芯。然后，分别封装各单独的管芯，例如以多芯片组件方式，或者以其他类型的封装方式。其中一种类型的较小封装是晶圆级芯片尺寸封装(WaferLevel Chip Scale Packaging，简称WLCSP)，晶圆级芯片尺寸封装是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积通常不大于IC裸晶的原尺寸的1.2倍。

需要注意的是，本申请中所记载的“WLCSP芯片”为能够进行WLCSP封装的芯片，例如金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)。WLCSP芯片能通过常规的表面贴装技术与印刷电路板(PCB)连接，能降低WLCSP芯片与PCB之间的杂散电感电容。

当WLCSP芯片为MOSFET时，因WLCSP芯片与PCB之间的连接距离缩短，WLCSP芯片的RDSON(Static Drain-to-Source On-Resistance，静态通态电阻)的阻值减小，间接提高了WLCSP芯片的导通电流。

当WLCSP芯片为MOSFET时，现有的WLCSP芯片存在的技术问题为：1.WLCSP芯片远离PCB的端面的D漏极无引脚引出，无法与PCB电性连接，若使用导线或焊盘(例如TiNiAg焊盘)将WLCSP芯片的D漏极与PCB电性连接，易使得电流全部流向D漏极和导线或焊盘的连接处，导致该连接处的局部电流过大，进而导致WLCSP芯片的内部热量升高并堆积，烧坏WLCSP芯片；2.WLCSP芯片的热量堆积无法散出，易发生短路危险，并且随着WLCSP芯片的热量的堆积，WLCSP芯片的温度会上升使得的WLCSP芯片的RDSON提高，进而降低了WLCSP芯片的的导通电流值和功率。

实用新型内容

针对现有技术中存在的技术问题，本实用新型提供一种适用于WLCSP芯片的封装结构。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种适用于WLCSP芯片的封装结构，包括第一导电部和WLCSP芯片。本申请中，为了方便描述，将第一导电部与WLCSP芯片连接的端面称为“正面”，将第一导电部远离WLCSP芯片的端面称为“背面”。第一导电部的边缘连接有第二导电部，第二导电部与第一导电部成一夹角。第二导电部与第一导电部的正面的内角为90°-180°。第二导电部与第一导电部均采用导电材料制成。第一导电部和第二导电部为一体化结构。

第一导电部的正面的中部上设置有基岛，在基岛的范围内至少设置有一个WLCSP芯片，第一导电部的正面还设置内凹的槽条，内凹的槽条绕基岛周向设置，槽条所围绕出面积相较于基岛的面积相等或略大。内凹的槽条可以通过半蚀刻的方法在第一导电部的正面加工出来。设置内凹的槽条的目的在于，当WLCSP芯片采用焊接的方法连接在基岛内时，用于焊接的锡膏或焊接金属胶或焊接金属液的多余部分会流入槽条内从而防止污染第一导电部的其它部位。槽条可以为连通结构也可以为多段式结构或者其它结构，只要能满足容纳多余的焊接材料即可。

当WLCSP芯片连接在基岛上时，WLCSP芯片的连接端面与第一导电部以及第二导电部电性连接。