[实用新型]直流接触器用线圈节能电路

说明书

本实用新型属于接触器驱动电路技术领域，具体涉及一种直流接触器用线圈节能电路。直流接触器用线圈节能电路，包括单片机微处理器、驱动电路和线圈，驱动电路采用双通道N‑MOS管电路，单片机微处理器的信号输出端通过第一电阻连接双通道N‑MOS管电路，供电电源连接第一二极管的正极，第一二极管的负极连接第二二极管的负极，第二二极管的正极通过双通道N‑MOS管电路连接所述单片机微处理器，第二二极管与线圈并联。本实用新型解决了因节能电路板关断问题造成的接触器主触点释放时间延长问题。

技术领域

本实用新型属于接触器驱动电路技术领域，具体涉及一种直流接触器用线圈节能电路。

背景技术

高压直流接触器是一种电磁式控制开关，是一种小电流控制大电流，小电压控制大电压的产品，广泛应用于新能源电动汽车、新能源充电桩、光伏储能等领域。在主负载功率较大的直流接触器产品中(60kw以上)，其线圈启动功率较大，而接触器产品一旦稳定吸合之后，其线圈仅需较小的功率即可保持产品处于吸合状态，即线圈保持功率较小，这就要求接触器线圈部分能够实现功率的自动切换。

一般接触器产品其线圈驱动存在额定电压的限制，即额定电压12Vdc的产品，其工作电压只能是9-16Vdc之间，一般应用于乘用车等12V系统中；额定电压24Vdc的产品，其工作电压只能在18-36Vdc之间，一般应用于大巴车等24V系统中，而在实际应用中，客户希望产品可以实现9-36Vdc进行工作。

基于此，行业内普遍采用PWM(脉冲宽度调制)调节输入电压占空比来实现线圈功耗可调，输入电压拓展的功能，从而实现接触器线圈节能控制以及降低线圈工作温升，提高线圈产品的使用寿命。其实现方式为，微处理器输出PWM方波，控制后端三极管Q1的打开与关断，从而控制接触器线圈的导通与断开。也有采用MOS管代替三极管的打开与关断来控制。但是这些设计仅使用单片机微处理器输出PWM，触发三极管或MOS管的打开与开断，且采用单个元器件控制方式，会导致接触器释放时间延长，造成产品主触点分离时电弧烧蚀严重，降低产品使用寿命，直接影响产品性能。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中采用PWM技术实现线圈功耗可调时造成的产品电弧烧蚀严重，导致使用寿命缩短的技术问题，目的在于提供一种直流接触器用线圈节能电路。

直流接触器用线圈节能电路，包括单片机微处理器、驱动电路和线圈，所述驱动电路采用双通道N-MOS管电路，所述单片机微处理器的信号输出端通过第一电阻连接所述双通道N-MOS管电路，供电电源连接第一二极管的正极，所述第一二极管的负极连接第二二极管的负极，所述第二二极管的正极通过所述双通道N-MOS管电路连接所述单片机微处理器，所述第二二极管与所述线圈并联。

本实用新型采用双通道N-MOS管电路设计，相当于采用2个N-MOS管共用作用，在单片机微处理器输出PWM信号来控制双通道N-MOS管电路开断时，能实现接触器瞬时释放目的，解决了接触器产品释放时间延长问题。

所述双通道N-MOS管电路包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极分别通过第二电阻连接所述第一电阻、通过第三电阻接地，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极，所述第二NMOS管的栅极通过第四电阻连接第三二极管的正极，所述第三二极管的负极连接所述第二二极管的正极，所述第三二极管和所述第二二极管的公共端通过第一电容接地；

所述第四电阻和所述第三二极管的公共端还连接所述第二NMOS管的源极，所述第四电阻分别并联第二电容和稳压二极管，所述第二NMOS管的栅极还通过第五电阻连接第五二极管的负极，所述第五二极管的正极连接所述第二二极管的正极。