[实用新型]发射针结构、热场发射电子源及电子显微镜有效

专利信息
申请号: 202120464207.X 申请日: 2021-03-03
公开(公告)号: CN214254336U 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 郝占海;蔡素枝;陆梁 申请(专利权)人: 大束科技(北京)有限责任公司
主分类号: H01J37/063 分类号: H01J37/063;H01J37/26
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 高淑凤
地址: 102200 北京市昌平区回*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发射 结构 电子 电子显微镜
【权利要求书】:

1.一种发射针结构,其特征在于,位于电子源中发射电子,其包括针本体和低逸出功材料团,其中:

所述针本体的周壁上设置有容纳部,所述低逸出功材料团在烧结过程中形成有嵌入所述容纳部内的结合部位,且所述结合部位与所述容纳部的配合结构将所述低逸出功材料团夹固于所述针本体上。

2.根据权利要求1所述的发射针结构,其特征在于,所述容纳部为槽或孔,所述结合部位充满于所述槽或所述孔内。

3.根据权利要求1所述的发射针结构,其特征在于,所述容纳部为由所述针本体的周壁向其轴线方向凹陷的沟槽。

4.根据权利要求3所述的发射针结构,其特征在于,每个所述沟槽均环绕于所述针本体的周壁上。

5.根据权利要求1-4任一项所述的发射针结构,其特征在于,所述容纳部的数量为两个以上,且所有所述容纳部沿所述针本体的长度方向间隔布置。

6.根据权利要求1-4任一项所述的发射针结构,其特征在于,所述低逸出功材料团为椭球状,所述逸出功材料团的延伸长度大于所有所述结合部位在所述针本体上的分布长度,且所述逸出功材料团的上端完全包裹位于所述针本体上最上方的所述结合部位,所述逸出功材料团的下端完全包裹位于所述针本体上最下方的所述结合部位。

7.根据权利要求1-4任一项所述的发射针结构,其特征在于,所述低逸出功材料团为氧化锆团,所述氧化锆团设置于所述针本体的中部,并位于所述针本体的针尖上方,以使所述氧化锆在高温作用下迁移至所述针本体的针尖位置。

8.一种热场发射电子源,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的发射针结构。

9.根据权利要求8所述的热场发射电子源,其特征在于,所述热场发射电子源还包括绝缘座、抑制极、接线柱、加热发叉和具有光阑的吸出极,其中:

所述抑制极为肖特基抑制极,所述抑制极罩设于所述绝缘座外;所有所述接线柱均穿过所述绝缘座,且其一端延伸出所述绝缘座,另一端与所述加热发叉固定,所述针本体固定于所述加热发叉的下端,并延伸出所述抑制极设置,所述针本体的中心对准所述光阑的中心位置。

10.一种电子显微镜,其特征在于,包括权利要求8或9所述的热场发射电子源。

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