[实用新型]一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片有效

专利信息
申请号: 202120455611.0 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN215527747U 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 杨柳;文波;盛芳 申请(专利权)人: 杭州西晨科技有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310002 浙江省杭州市杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 荧光 材料 蓝宝石 复合 衬底 led 芯片
【权利要求书】:

1.一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,包括依次设置的荧光材料/蓝宝石复合衬底(301),GaN过渡层(302),n-GaN层(303),多层量子井发光层GaN/InGaN(304),p-GaN层(305),以及阳极(306)和阴极(307)。

2.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料/蓝宝石复合衬底,其中一部分是荧光材料,另一部分是蓝宝石,荧光材料以薄层形态与蓝宝石片直接无间隙接触紧密结合,GaN薄膜从蓝宝石面开始生长,荧光材料面作为出光面。

3.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,荧光材料与蓝宝石衬底之间是无其它材料的直接的紧密结合。

4.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,荧光材料与蓝宝石复合衬底中,蓝宝石基片的厚度在0.10mm-1.00mm之间,荧光材料层的厚度在0.01mm-0.30mm之间。

5.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,根据具体需要,荧光材料可以是黄色荧光材料,能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为黄色光。

6.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,根据具体需要,荧光材料可以是绿色荧光材料,能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为绿色光。

7.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,根据具体需要,荧光材料可以是红色色荧光材料,能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为红色光。

8.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,GaN过渡层厚度在2-10nm之间,n-GaN的厚度在2nm-6nm之间,多层量子井反光层GaN/InGaN的层数在4-6层之间,总厚度在60-80nm之间,p-GaN层的厚度在110-130nm之间。

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