[实用新型]一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片

权利要求书

1.一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征在于，包括依次设置的荧光材料/蓝宝石复合衬底(301)，GaN过渡层(302)，n-GaN层(303)，多层量子井发光层GaN/InGaN(304)，p-GaN层(305)，以及阳极(306)和阴极(307)。

2.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征在于，所述荧光材料/蓝宝石复合衬底，其中一部分是荧光材料，另一部分是蓝宝石，荧光材料以薄层形态与蓝宝石片直接无间隙接触紧密结合，GaN薄膜从蓝宝石面开始生长，荧光材料面作为出光面。

3.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征在于所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中，荧光材料与蓝宝石衬底之间是无其它材料的直接的紧密结合。

4.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征在于，荧光材料与蓝宝石复合衬底中，蓝宝石基片的厚度在0.10mm-1.00mm之间，荧光材料层的厚度在0.01mm-0.30mm之间。

5.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征在于，所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中，根据具体需要，荧光材料可以是黄色荧光材料，能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为黄色光。

6.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征在于，所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中，根据具体需要，荧光材料可以是绿色荧光材料，能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为绿色光。

7.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征在于，所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中，根据具体需要，荧光材料可以是红色色荧光材料，能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为红色光。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，GaN过渡层厚度在2-10nm之间，n-GaN的厚度在2nm-6nm之间，多层量子井反光层GaN/InGaN的层数在4-6层之间，总厚度在60-80nm之间，p-GaN层的厚度在110-130nm之间。