[实用新型]一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片有效
申请号: | 202120455611.0 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN215527747U | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 杨柳;文波;盛芳 | 申请(专利权)人: | 杭州西晨科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/64 |
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地址: | 310002 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生长 荧光 材料 蓝宝石 复合 衬底 led 芯片 | ||
1.一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,包括依次设置的荧光材料/蓝宝石复合衬底(301),GaN过渡层(302),n-GaN层(303),多层量子井发光层GaN/InGaN(304),p-GaN层(305),以及阳极(306)和阴极(307)。
2.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料/蓝宝石复合衬底,其中一部分是荧光材料,另一部分是蓝宝石,荧光材料以薄层形态与蓝宝石片直接无间隙接触紧密结合,GaN薄膜从蓝宝石面开始生长,荧光材料面作为出光面。
3.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,荧光材料与蓝宝石衬底之间是无其它材料的直接的紧密结合。
4.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,荧光材料与蓝宝石复合衬底中,蓝宝石基片的厚度在0.10mm-1.00mm之间,荧光材料层的厚度在0.01mm-0.30mm之间。
5.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,根据具体需要,荧光材料可以是黄色荧光材料,能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为黄色光。
6.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,根据具体需要,荧光材料可以是绿色荧光材料,能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为绿色光。
7.根据权利要求1所述的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片,其特征在于,所述荧光材料与蓝宝石复合衬底中,根据具体需要,荧光材料可以是红色色荧光材料,能有效地吸收入射光并高效地将其转换成为红色光。
8.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,GaN过渡层厚度在2-10nm之间,n-GaN的厚度在2nm-6nm之间,多层量子井反光层GaN/InGaN的层数在4-6层之间,总厚度在60-80nm之间,p-GaN层的厚度在110-130nm之间。
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