[实用新型]DDR连接器耳扣结构

说明书

本实用新型公开了一种DDR连接器耳扣结构，包括能够旋转安装于连接器主体两端的主体部和用于顶出电子卡的顶出部，顶出部自主体部的前侧下端向前凸伸形成，所述主体部包括从上至下依次分布的扣合部分、枢接部分和导引部分，扣合部分沿主体部左右方向的宽度大于枢接部分沿主体部左右方向的宽度，枢接部分沿主体部左右方向的宽度大于导引部分沿主体部左右方向的宽度，导引部分与连接器主体之间为间隙配合。本实用新型的DDR连接器耳扣结构在耳扣在组装到连接器主体两端时，耳扣的枢接部分不会撞伤连接器主体。

技术领域

本实用新型涉及连接器领域，尤其涉及一种DDR连接器耳扣结构。

背景技术

DDR内存连接器，一般在其两端设置有顶卡(退卡)耳扣，该耳扣通过转轴与连接器主体枢接在一起，耳扣的枢接部分的宽度上下一样大。耳扣组装时，耳扣的枢接部分先进入连接器主体，然后转轴会撑开连接器主体薄壁，转轴继而滑入连接器的轴孔内。因连接器主体供耳扣安装空间的非常有限，耳扣在组装时，枢接部分存在撞伤连接器主体的风险。因此，需设计一种DDR连接器耳扣结构，以改善前述缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种DDR连接器耳扣结构，耳扣在组装到连接器主体两端时，耳扣的枢接部分不会撞伤连接器主体。

为实现上述目的，本实用新型提供一种DDR连接器耳扣结构，包括能够旋转安装于连接器主体两端的主体部和用于顶出电子卡的顶出部，顶出部自主体部的前侧下端向前凸伸形成，所述主体部包括从上至下依次分布的扣合部分、枢接部分和导引部分，扣合部分沿主体部左右方向的宽度大于枢接部分沿主体部左右方向的宽度，枢接部分沿主体部左右方向的宽度大于导引部分沿主体部左右方向的宽度，导引部分与连接器主体之间为间隙配合。

作为本实用新型的进一步改进，所述扣合部分的左右两侧和枢接部分的左右两侧之间通过斜面一相连，枢接部分的左右两侧和导引部分左右两侧之间通过斜面二相连，扣合部分的左右两侧外凸形成卡点，枢接部分的左右两侧外凸形成铰接部和加强部，加强部的下端与铰接部的上侧相连，加强部的上端与斜面一相连。

作为本实用新型的更进一步改进，所述扣合部分的上端为阶梯式掰动部，导引部分面朝向顶出部的一角被切削形成倾斜的抵挡面，抵挡面分布在顶出部的左右两侧。

作为本实用新型的更进一步改进，所述顶出部的左右侧表面均凸伸形成补强结构，补强结构的后侧与抵挡面相接，补强结构的前侧与顶出部构成具有下侧壁和后侧壁及前侧和上侧均敞口的端子让位槽。

作为本实用新型的更进一步改进，所述端子让位槽的后侧壁与抵挡面平行。

作为本实用新型的更进一步改进，所述主体部的前侧和后侧均为竖直壁面，抵挡面和端子让位槽的后侧壁均为与主体部的前侧呈钝角的倾斜结构，抵挡面与主体部的前侧的延伸方向的夹角与主体部的旋转角度相等。

作为本实用新型的更进一步改进，所述补强结构是包括横向部分和平行抵挡面的竖向部分的L型结构，竖向部分的上侧与顶出部的上侧平齐，竖向部分的前侧为端子让位槽的后侧壁，竖向部分的后侧与抵挡面相接，横向部分的下侧与顶出部的下侧平齐，横向部分的上侧为端子让位槽的下侧壁。

作为本实用新型的更进一步改进，所述端子让位槽的下侧壁为倾斜壁，端子让位槽的后侧壁为弧形弯曲壁。

作为本实用新型的更进一步改进，所述卡点的朝向顶出部的一角被切削形成斜边，斜边与主体部前侧的夹角与主体部旋转打开的旋转角度相等。

与现有技术相比，本实用新型的一种DDR连接器耳扣结构的有益效果如下：

(1)通过设计窄于枢接部分的导引部分，使得耳扣结构在组装到连接器主体两端时，导引部分先进入到连接器主体的安装槽内，而且导引部分与连接器主体的薄壁之间有间隙，使得耳扣结构的枢接部分不会撞伤连接器主体的薄壁。