[实用新型]轴向引线瞬态电压抑制二极管传输装置有效
| 申请号: | 202120440940.8 | 申请日: | 2021-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN214753678U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | 徐晓婷;陈荣建;李波 | 申请(专利权)人: | 山东智盛电子器件有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/329 |
| 代理公司: | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人: | 李照兰 |
| 地址: | 252800 山东省聊城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 轴向 引线 瞬态 电压 抑制 二极管 传输 装置 | ||
本实用新型提出一种轴向引线瞬态电压抑制二极管传输装置,包括两组结构相同的传动组件且分别为第一传动组件和第二传动组件,所述传动组件包括链条、主动链轮、从动链轮和驱动电机,链条包括若干个首尾依次连接的链节,链条的一侧设置有多个与链节一一对应的拨板,相邻拨杆部之间构成用来接收二极管的活动槽,第一传动组件的输入端设置有接料轮,第一传动组件在其输出端设置有第一导向板,第一传动组件与第二传动组件之间设置有印墨上料轮,印墨上料轮的上设置有多个拨齿,第二传动组件的输入端设置有第二导向板。本装置与不同工序设备的衔接性能较好,而且传动组件对二极管的逐一传递能力较强,有利于提高本装置的自动生产效率。
技术领域
本实用新型属于二极管生产设备技术领域,尤其涉及一种轴向引线瞬态电压抑制二极管传输装置。
背景技术
瞬态电压抑制二极管是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。在二极管生产的过程中,装好引线的二极管通过振动筛选进入导流装置,导流装置主要是使得二极管能够以整齐的状态进入到极性检测装置,再由极性检测装置进入到后续的传输装置上,进而顺利完成印墨以及检测等工序。
现有的二极管传输装置结构简单,功能单一,与上一级工序设备的衔接效果较差,而且不能自动将二极管带入到印墨装置上,对工人的依赖程度较高,导致整个生产线的生产效率很难得到大幅度地提高。
实用新型内容
本实用新型针对上述的二极管传输装置所存在的技术问题,提出一种设计合理、结构简单、衔接性能较强、自动化程度较高且有利于提高生产效率的轴向引线瞬态电压抑制二极管传输装置。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为,本实用新型提供的轴向引线瞬态电压抑制二极管传输装置,包括两组结构相同的传动组件且分别为第一传动组件和第二传动组件,所述传动组件包括两条对称分布的链条,所述链条设置在主动链轮和从动链轮上,所述主动链轮和从动链轮均通过传动轴设置在支撑座上,所述主动链轮的输入端设置有驱动电机,所述链条包括若干个首尾依次连接的链节,所述链条在其朝向另一链条的一侧设置有多个与链节一一对应的拨板,所述拨板包括与链节连接的底板部,所述底板部的顶部设置有“7”字形的拨杆部,所述拨杆部的宽度小于底板部的宽度,所述相邻拨杆部之间构成用来接收二极管的活动槽,所述第一传动组件的输入端设置有接料轮,所述接料轮的圆周面上均匀设置有多个接料槽,所述接料槽用来将二极管放入到活动槽中,所述第一传动组件在靠近其输出端的部位设置有倾斜的第一导向板,所述第一传动组件与第二传动组件之间设置有印墨上料轮,所述印墨上料轮的动力输入端设置有旋转电机,所述印墨上料轮的圆周面上均匀设置有多个拨齿,所述拨齿用来将第一传动组件上的二极管拾起并放入到第二传动组件上,所述第二传动组件的输入端设置有用来接收二极管的第二导向板。
作为优选,所述传动组件包括位于两个链条之间的传输平台,所述传输平台的两侧设置有位于链条外部的护板,所述第一导向板和第二导向板均设置在传输平台上。
作为优选,所述拨齿的纵截面呈梯形,所述拨齿的顶面为倾斜面,所述拨齿的前侧设置有前沟槽,所述拨齿的后侧设置有后沟槽,相邻拨齿的前沟槽与后沟槽之间构成用来放置二极管的卡槽。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果在于:
1、本实用新型提供的轴向引线瞬态电压抑制二极管传输装置,利用接料轮可以提高本装置与上一级工序设备的衔接性能,而且将二极管顺利摆放至传动组件上,而印墨上料轮可以合理改变二极管的流通方向,使其顺利完成印墨,而整个传动组件对二极管的逐一传递能力较强,有利于提高本装置的自动生产效率。本实用新型设计合理,结构简单,适合大规模推广。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





