[实用新型]一种简化的五电平电压源型变换装置有效
申请号: | 202120439872.3 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN216216582U | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 张文明;刘战;吕浩然;王旭;李从建;刘莹莹 | 申请(专利权)人: | 江苏师范大学 |
主分类号: | H02M7/483 | 分类号: | H02M7/483;H02J3/18 |
代理公司: | 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353 | 代理人: | 陈俊杰 |
地址: | 221116 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 简化 电平 电压 变换 装置 | ||
1.一种简化的五电平电压源型变换装置,包括第一电容器C1、第二电容器C2、第三电容器C3、第四电容器C4;第一接线端(1)、第二接线端(2),第三接线端(3)、第四接线端(4),第五接线端(5),第六接线端(6),第七接线端(7),第八接线端(8),第九接线端(9);以及十个绝缘栅双极晶体管IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4、IGBT5、IGBT6、IGBT7、IGBT8、IGBT9、IGBT10;
其特征在于,第一电容器C1连接在第一接线端(1)与第二接线端(2)之间;
第二电容器C2连接在第二接线端(2)与第三接线端(3)之间;
第三电容器C3连接在第五接线端(5)与第四接线端(4)之间;
第四电容器C4连接在第四接线端(4)与第六接线端(6)之间;
绝缘栅双极晶体管IGBT1的集电极连接在第一接线端(1),绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极连接在第五接线端(5);
绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极连接在第五接线端(5),绝缘栅双极晶体管IGBT2的发射极连接在第七接线端(7);
绝缘栅双极晶体管IGBT3的集电极连接在第七接线端(7),绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极连接在第四接线端(4);
绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极连接在第七接线端(7),绝缘栅双极晶体管IGBT4的发射极连接在第九接线端(9);
绝缘栅双极晶体管IGBT5的集电极连接在第九接线端(9),绝缘栅双极晶体管IGBT5的发射极连接在第八接线端(8);
绝缘栅双极晶体管IGBT6的集电极连接在第四接线端(4),绝缘栅双极晶体管IGBT6的发射极连接在第八接线端(8);
绝缘栅双极晶体管IGBT7的集电极连接在第八接线端(8),绝缘栅双极晶体管IGBT7的发射极连接在第六接线端(6);
绝缘栅双极晶体管IGBT8的集电极连接在第六接线端(6),绝缘栅双极晶体管IGBT8的发射极连接在第三接线端(3);
绝缘栅双极晶体管IGBT9的集电极连接在第四接线端(4),绝缘栅双极晶体管IGBT9的发射极连接在绝缘栅双极晶体管IGBT10的发射极;
绝缘栅双极晶体管IGBT10的集电极连接在第二接线端(2),绝缘栅双极晶体管IGBT10发射极连接在绝缘栅双极晶体管IGBT9的发射极;
绝缘栅双极晶体管IGBT9的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT10的发射极连接,第九接接线端为输出端连接在绝缘栅双极晶体管IGBT4的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT5的集电极之间。
2.根据权利要求1所述的一种简化的五电平电压源型变换装置,其特征在于,所述绝缘栅双极晶体管IGBT1、IGBT2、IGBT4导通,其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断,以使所述五电平拓扑结构工作在第一工作状态;
所述绝缘栅双极晶体管IGBT2、IGBT4导通,其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断,以使所述五电平拓扑结构工作在第二工作状态;
所述绝缘栅双极晶体管IGBT3、IGBT4、IGBT9、IGBT10导通,其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断,以使所述五电平拓扑结构工作在第三工作状态;或所述绝缘栅双极晶体管IGBT5、IGBT6、IGBT9、IGBT10导通,其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断,以使所述五电平拓扑结构工作在第三工作状态;
所述绝缘栅双极晶体管IGBT5、IGBT7导通,其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断,以使所述五电平拓扑结构工作在第四工作状态;
所述绝缘栅双极晶体管IGBT5、IGBT7、IGBT8导通,其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断,以使所述五电平拓扑结构工作在第五工作状态。
3.根据权利要求2所述的一种简化的五电平电压源型变换装置,其特征在于,控制所述五电平拓扑结构的开关管的导通或关断状态,以使所述五电平拓扑结构工作在相应的工作状态当中。
4.根据权利要求1所述的一种简化的五电平电压源型变换装置,其特征在于,每个绝缘栅双极晶体管也可以由集成门极换流晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管和电力场效应晶体管替换使用。
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