[实用新型]一种简化的五电平电压源型变换装置

权利要求书

1.一种简化的五电平电压源型变换装置，包括第一电容器C1、第二电容器C2、第三电容器C3、第四电容器C4；第一接线端(1)、第二接线端(2)，第三接线端(3)、第四接线端(4)，第五接线端(5)，第六接线端(6)，第七接线端(7)，第八接线端(8)，第九接线端(9)；以及十个绝缘栅双极晶体管IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4、IGBT5、IGBT6、IGBT7、IGBT8、IGBT9、IGBT10；

其特征在于，第一电容器C1连接在第一接线端(1)与第二接线端(2)之间；

第二电容器C2连接在第二接线端(2)与第三接线端(3)之间；

第三电容器C3连接在第五接线端(5)与第四接线端(4)之间；

第四电容器C4连接在第四接线端(4)与第六接线端(6)之间；

绝缘栅双极晶体管IGBT1的集电极连接在第一接线端(1)，绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极连接在第五接线端(5)；

绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极连接在第五接线端(5)，绝缘栅双极晶体管IGBT2的发射极连接在第七接线端(7)；

绝缘栅双极晶体管IGBT3的集电极连接在第七接线端(7)，绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极连接在第四接线端(4)；

绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极连接在第七接线端(7)，绝缘栅双极晶体管IGBT4的发射极连接在第九接线端(9)；

绝缘栅双极晶体管IGBT5的集电极连接在第九接线端(9)，绝缘栅双极晶体管IGBT5的发射极连接在第八接线端(8)；

绝缘栅双极晶体管IGBT6的集电极连接在第四接线端(4)，绝缘栅双极晶体管IGBT6的发射极连接在第八接线端(8)；

绝缘栅双极晶体管IGBT7的集电极连接在第八接线端(8)，绝缘栅双极晶体管IGBT7的发射极连接在第六接线端(6)；

绝缘栅双极晶体管IGBT8的集电极连接在第六接线端(6)，绝缘栅双极晶体管IGBT8的发射极连接在第三接线端(3)；

绝缘栅双极晶体管IGBT9的集电极连接在第四接线端(4)，绝缘栅双极晶体管IGBT9的发射极连接在绝缘栅双极晶体管IGBT10的发射极；

绝缘栅双极晶体管IGBT10的集电极连接在第二接线端(2)，绝缘栅双极晶体管IGBT10发射极连接在绝缘栅双极晶体管IGBT9的发射极；

绝缘栅双极晶体管IGBT9的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT10的发射极连接，第九接接线端为输出端连接在绝缘栅双极晶体管IGBT4的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT5的集电极之间。

2.根据权利要求1所述的一种简化的五电平电压源型变换装置，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管IGBT1、IGBT2、IGBT4导通，其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断，以使所述五电平拓扑结构工作在第一工作状态；

所述绝缘栅双极晶体管IGBT2、IGBT4导通，其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断，以使所述五电平拓扑结构工作在第二工作状态；

所述绝缘栅双极晶体管IGBT3、IGBT4、IGBT9、IGBT10导通，其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断，以使所述五电平拓扑结构工作在第三工作状态；或所述绝缘栅双极晶体管IGBT5、IGBT6、IGBT9、IGBT10导通，其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断，以使所述五电平拓扑结构工作在第三工作状态；

所述绝缘栅双极晶体管IGBT5、IGBT7导通，其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断，以使所述五电平拓扑结构工作在第四工作状态；

所述绝缘栅双极晶体管IGBT5、IGBT7、IGBT8导通，其他绝缘栅双极晶体管IGBT关断，以使所述五电平拓扑结构工作在第五工作状态。

3.根据权利要求2所述的一种简化的五电平电压源型变换装置，其特征在于，控制所述五电平拓扑结构的开关管的导通或关断状态，以使所述五电平拓扑结构工作在相应的工作状态当中。

4.根据权利要求1所述的一种简化的五电平电压源型变换装置，其特征在于，每个绝缘栅双极晶体管也可以由集成门极换流晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管和电力场效应晶体管替换使用。