[实用新型]一种防反接电路及POE交换机有效
申请号: | 202120355159.0 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN214798873U | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 刘江;黄彬 | 申请(专利权)人: | 广东优力普物联科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/06 | 分类号: | H02H9/06;H02H11/00 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 袁敏怡 |
地址: | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反接 电路 poe 交换机 | ||
本实用新型涉及安全电路技术领域,尤其是指一种防反接电路及POE交换机,所述防反接电路包括连接端口CON5、PMOS管Q3、电阻R1、稳压管D2、NMOS管Q4、正输出端口以及负输出端口,所述电阻R1的一端以及PMOS管Q3的源极均与连接端口CON5的正输入端连接,所述电阻R1的另一端、稳压管D2的阴极以及NMOS管Q4的栅极均与PMOS管Q3的栅极连接,PMOS管Q3的漏极与正输出端口连接,稳压管D2的阳极以及NMOS管Q4的源极分别与负输出端口连接,所述NMOS管的漏极与连接端口CON5的负输入端连接。本实用新型能够减少压降和温升的情况发生。
技术领域
本实用新型涉及安全电路技术领域,尤其是指一种防反接电路及 POE交换机。
背景技术
为了防止POE交换机因反接而损坏,时常需要在POE交换机的 DC输入端设置防反接电路。现有技术中的防反接电路中,多利用二极管的单向导通性实现防反接,但二极管的缺点非常明显,通过的电流越大,二极管的导通压降越大,发热越严重。
发明内容
本实用新型针对现有技术的问题提供一种减少压降和温升问题的防反接电路。
本实用新型采用如下技术方案:一种防反接电路,包括连接端口 CON5、PMOS管Q3、电阻R1、稳压管D2、NMOS管Q4、正输出端口以及负输出端口,所述电阻R1的一端以及PMOS管Q3的源极均与连接端口CON5的正输入端连接,所述电阻R1的另一端、稳压管D2的阴极以及NMOS管Q4的栅极均与PMOS管Q3的栅极连接, PMOS管Q3的漏极与正输出端口连接,稳压管D2的阳极以及NMOS 管Q4的源极分别与负输出端口连接,所述NMOS管的漏极与连接端口CON5的负输入端连接。
作为优选,所述防反接电路还包括二极管D30,二极管D30的阳极与稳压管D2的阳极连接,二极管D30的阴极与负输出端口连接。
作为优选,所述防反接电路还包括与电阻R1并联的电阻R2。
作为优选,电阻R2的阻值与电阻R1的阻值相同。
作为优选,所述防反接电路还包括压敏电阻MOV3,压敏电阻 MOV3的一端与连接端口CON5的正输入端连接,压敏电阻MOV3 的另一端与接地。
作为优选,所述防反接电路还包括陶瓷气体放电管G1,压敏电阻MOV3的所述另一端通过陶瓷气体放电管G1接地。
本实用新型还提供一种POE交换机,包括上述防反接电路。
本实用新型的有益效果:通过在连接端口CON5的正输入端设置 PMOS管并在连接端口CON5的负输入端设置NMOS管以防止反接,从而减少压降和温升的情况发生。
附图说明
图1为本实用新型的立体结构图。
附图标记为:1、正输出端口;2、负输出端口。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例与附图对本实用新型作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。以下结合附图对本实用新型进行详细的描述。
如图1所示,一种防反接电路,包括连接端口CON5、PMOS管Q3、电阻R1、稳压管D2、NMOS管Q4、正输出端口1以及负输出端口2,所述电阻R1的一端以及PMOS管Q3的源极均与连接端口CON5的正输入端连接,所述电阻R1的另一端、稳压管D2的阴极以及NMOS管Q4的栅极均与PMOS管Q3的栅极连接,PMOS管Q3的漏极与正输出端口1连接,稳压管D2的阳极以及NMOS管Q4的源极分别与负输出端口 2连接,所述NMOS管的漏极与连接端口CON5的负输入端连接。
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