[实用新型]场效应晶体管电路、装置、芯片及电池管理系统

权利要求书

1.一种场效应晶体管电路，其特征在于，包括：

场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接；以及

开关，所述开关的一端与所述连接点连接，所述开关的另一端与所述源极连接，

所述场效应晶体管导通且所述开关导通从而所述源极与所述衬底连通，所述场效应晶体管断开且所述开关断开从而所述源极与所述衬底断开，所述衬底处于浮空状态。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述场效应晶体管导通且所述开关导通从而所述源极与所述衬底连通时，所述场效应晶体管的导电沟道形成，所述场效应晶体管断开且所述开关断开从而所述源极与所述衬底断开时，所述场效应晶体管的导电沟道不形成并且所述衬底处于浮空状态。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路设置成，在所述源极和所述漏极之间不会通过所述串联电路形成导电通路。

4.如权利要求3所述的场效应晶体管电路，其特征在于，

所述场效应晶体管为NMOS晶体管，当所述栅极与所述源极之间的栅源电压大于所述场效应晶体管的导通阈值电压时所述场效应晶体管导通，当所述栅源电压小于所述导通阈值电压时所述场效应晶体管断开；或者，

所述场效应晶体管为PMOS晶体管，当所述栅极与所述源极之间的栅源电压小于所述场效应晶体管的导通阈值电压时所述场效应晶体管导通，当所述栅源电压大于所述导通阈值电压时所述场效应晶体管断开。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管电路，其特征在于，

所述场效应晶体管为NMOS晶体管时，所述第一寄生二极管的阳极与所述第二寄生二极管的阳极连接，所述第一寄生二极管的阴极与所述漏极连接，所述第二寄生二极管的阴极与所述源极连接；或者

所述场效应晶体管为PMOS晶体管时，所述第一寄生二极管的阴极与所述第二寄生二极管的阴极连接，所述第一寄生二极管的阳极与所述漏极连接，所述第二寄生二极管的阳极与所述源极连接。

6.如权利要求5所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述开关为NMOS型和/或PMOS型晶体管开关，所述晶体管开关的栅极与所述场效应晶体管的栅极连接，所述晶体管开关的源极与所述连接点连接，所述晶体管开关的漏极与所述场效应晶体管的源极连接。

7.如权利要求5所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述开关为三极管，所述三极管的基极经由第一电阻连接至场效应晶体管的所述栅极，所述三极管的发射极/集电极连接所述连接点，所述三极管的集电极/发射极连接所述场效应集体管的源极。

8.如权利要求5所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，

所述第二开关设置为：当所述场效应晶体管断开时，所述第二开关确保所述场效应晶体管的栅极氧化层不会被击穿和/或所述场效应晶体管不形成导电沟道。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，所述第二开关为耐压二极管，

当所述场效应晶体管为NMOS晶体管时，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接；或者当所述场效应晶体管为PMOS晶体管时，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接。