[实用新型]拉晶炉排气管道及拉晶炉有效
申请号: | 202120343231.8 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN214300459U | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 吴永林 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 | 代理人: | 李蔚君 |
地址: | 710032 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拉晶炉 排气 管道 | ||
本实用新型公开了一种拉晶炉排气管道及拉晶炉,所述拉晶炉排气管道包括安装在拉晶炉炉底出气口上的护筒(1)、与所述拉晶炉炉底出气口连通的排气管(2)和套装在所述排气管(2)上的护套(3),所述护筒(1)的内壁设置有涂层,使得所述护筒(1)内壁具有光滑表面,所述排气管(2)位于所述拉晶炉炉底下方,所述排气管(2)的上端位于所述护套(3)内。所述拉晶炉包括该拉晶炉排气管道。本实用新型提供的拉晶炉排气管道及拉晶炉能够解决排气管道被氧化物堵塞的问题,避免引发晶棒错位。
技术领域
本实用新型涉及生产单晶晶棒技术领域,尤其涉及一种拉晶炉排气管道以及包括该排气管道的拉晶炉。
背景技术
生长单晶晶棒时,在拉晶炉的石英坩埚内装入多晶硅,然后熔化多晶硅,熔液温度稳定,再使籽晶与熔液接触的方式生长晶棒,该方法被广泛用于制作单晶晶棒。生长单晶晶棒的拉晶炉在熔化多晶硅的过程中会产生氧化物。拉晶炉中产生的氧化物是属于颗粒(Particle)类型,在晶棒(Ingot)成长时会诱发晶棒错位(Ingot dislocation)。因此,现有的拉晶炉设置有排气管道,将产生的氧化物从炉室(chamber)流入到排气管道,再通过排气管道排出。
但是进行拉晶工艺的过程中,经常由于氧化物堵塞排气管道的原因,在生长晶棒过程中诱发晶棒错位。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种拉晶炉排气管道,能够解决排气管道被氧化物堵塞的问题,避免引发晶棒错位。
为了实现上述目的,本实用新型提供了一种拉晶炉排气管道,包括安装在拉晶炉炉底出气口上的护筒、与所述拉晶炉炉底出气口连通的排气管和套装在所述排气管上的护套,所述护筒的内壁设置有涂层,使得所述护筒内壁具有光滑表面,所述排气管位于所述拉晶炉炉底下方,所述排气管的上端位于所述护套内。
优选地,所述护筒为石墨护筒,所述护筒内壁上设置的涂层为火法涂层。
优选地,所述涂层的厚度为0.1mm-1mm。
优选地,所述护筒的上端固定连接有环形凸缘,所述环形凸缘压在所述拉晶炉炉底上铺设的石墨固化毡上。
优选地,所述护套采用隔热材料制作。
优选地,所述护套采用石墨毡制作。
优选地,所述护套的上端固定连接有环形台,所述环形台的上表面与所述拉晶炉炉底的下表面接触。
本实用新型与现有技术的不同之处在于,本实用新型提供的拉晶炉排气管道通过在拉晶炉炉底的出气口上安装护筒,可以避免带有高温氧化物的气体经过炉底上铺设的石墨固化毡时对固化毡的内壁产生热腐蚀;同时通过在护筒内壁设置有涂层,可以使得护筒内壁具有光滑表面,避免带有湿润性的氧化物粘在护筒内壁上而堵塞护筒;通过在连通出气口的排气管的上端套装护套,可以降低排气管上端与外部环境热交换的程度,避免高温氧化物在排气管的上端被急速冷却,从而防止大量急速冷却的氧化物堵塞排气管。因此本实用新型提供的拉晶炉排气管道能够解决排气管道被氧化物堵塞的问题,避免引发晶棒错位。
本实用新型的另一个目的是提供一种拉晶炉,能够避免其上安装的排气管道被氧化物堵塞而引发晶棒错位的问题。
为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种拉晶炉,包括炉体、设置在所述炉体底部的支撑架、安装在所述支撑架上的石英坩埚和拉晶炉排气管道,所述拉晶炉排气管道包括护筒、排气管和护套,所述炉体的炉底上铺设有石墨固化毡,在所述炉体的炉底上开设有出气口,所述护筒穿过所述石墨固化毡并且安装在所述出气口上,护筒的内壁设置有涂层,使得所述护筒内壁具有光滑表面,所述排气管位于所述拉晶炉炉底下方并且与出气口连通,所述护套套装在排气管上,所述排气管的上端位于所述护套内。
优选地,所述炉体的炉底上铺设的石墨固化毡为三层。
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