[实用新型]相变存储器单元和存储器装置

权利要求书

1.一种相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元包括：

加热器；

堆叠，包括：

至少一个锗层或氮掺杂锗层；以及

第一合金的至少一层，所述第一合金是锗锑碲合金；以及

电阻层，位于所述加热器和所述堆叠之间。

2.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元还包括绝缘区域，所述绝缘区域横向地围绕所述堆叠的侧壁和所述电阻层的侧壁。

3.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述电阻层在所述堆叠的整个底层之下延伸。

4.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述电阻层与所述加热器和所述堆叠的底层接触。

5.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述堆叠包括第二合金的区域，所述第二合金的所述区域从所述电阻层延伸并穿过所述至少一个锗层或氮掺杂锗层。

6.根据权利要求5所述的相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元还包括在所述堆叠的顶层上的导电层。

7.根据权利要求6所述的相变存储器单元，其特征在于，在所述第二合金的所述区域的顶部和所述导电层之间没有所述至少一个锗层或氮掺杂锗层的部段。

8.根据权利要求5所述的相变存储器单元，其特征在于，所述第二合金的所述区域的相是能够选择性改变的，并且其中：

在第一存储器状态中，所述第二合金的所述区域处于基本均匀的结晶相；

在第二存储器状态中，所述第二合金的所述区域具有完全覆盖所述电阻层的上表面的非晶区域；并且

在至少一种中间存储器状态中，所述第二合金的所述区域具有部分覆盖所述电阻层的上表面的非晶区域。

9.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括：

至少一个相变存储器单元，所述至少一个相变存储器单元包括：

加热器，

堆叠，包括：

至少一个锗层或氮掺杂锗层；以及

第一合金的至少一层，所述第一合金是锗锑碲合金；以及

电阻层，位于所述加热器和所述堆叠之间。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，所述至少一个相变存储器单元还包括绝缘区域，所述绝缘区域横向地围绕所述堆叠的侧壁和所述电阻层的侧壁。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，所述电阻层在所述堆叠的整个底层之下延伸。

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，所述电阻层与所述加热器和所述堆叠的底层接触。

13.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，所述堆叠包括第二合金的区域，所述第二合金的所述区域从所述电阻层延伸并穿过所述至少一个锗层或氮掺杂锗层。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述第二合金的所述区域的相是能够选择性改变的，并且其中：

在第一存储器状态中，所述第二合金的所述区域处于基本均匀的结晶相；

在第二存储器状态中，所述第二合金的所述区域具有完全覆盖所述电阻层的上表面的非晶区域；并且

在至少一种中间存储器状态中，所述第二合金的所述区域具有部分覆盖所述电阻层的上表面的非晶区域。

15.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述至少一个相变存储器单元还包括在所述堆叠的顶层上的导电层。