[实用新型]一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构有效
| 申请号： | 202120331568.7 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN214477468U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐泓;汤艺;永福;王良元 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/417;H01L23/48 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 | ||
1.一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构本体，其特征在于：所述元胞结构本体主要包括N型漂移区及设置在N型漂移区底部的P+区，所述N型漂移区的上表面依次设置有N型电荷贮存层和P型沟道区，P型沟道区上形成有发射极；所述元胞结构本体上形成有若干贯穿P型沟道区和N型电荷贮存层并延伸至N型漂移区内的多晶硅沟槽，多晶硅沟槽内设置有多晶硅和氧化层；所述多晶硅沟槽包括至少两个设置在元胞结构本体内的真栅多晶硅沟槽和设置在真栅多晶硅沟槽之间的若干发射极多晶硅沟槽，所述真栅多晶硅沟槽是由对应位置的多晶硅沟槽延伸至栅极金属环并通过第一接触孔与栅极金属层连接形成，所述发射极多晶硅沟槽是由保留在发射极区域内的多晶硅沟槽通过第二接触孔与发射极金属层连接形成。
2.根据权利要求1所述的沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，其特征在于：所述多晶硅沟槽还包括至少一个虚栅多晶硅沟槽，且所述虚栅多晶硅沟槽延伸至栅极金属环并通过第一接触孔与栅极金属层连接形成。
3.根据权利要求2所述的沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，其特征在于：所述真栅多晶硅沟槽两侧的P型沟道区形成有N+有源区域。
4.根据权利要求2或3所述的沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，其特征在于：所述真栅多晶硅沟槽、虚栅多晶硅沟槽及发射极多晶硅沟槽的深度、宽度均相同，且所述真栅多晶硅沟槽、虚栅多晶硅沟槽及发射极多晶硅沟槽等距设置在所述元胞结构本体上。
5.根据权利要求4所述的沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，其特征在于：所述真栅多晶硅沟槽、虚栅多晶硅沟槽及发射极多晶硅沟槽之间的距离为沟槽宽度的1/3~3倍。
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