[实用新型]一种填充6

权利要求书

1.一种填充⁶LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，包括半绝缘GaAs衬底，其特征在于，所述半绝缘GaAs衬底上沉积有SiO₂钝化层，所述沉积有SiO₂钝化层的半绝缘GaAs衬底上刻蚀有呈周期性布置的微沟槽，所述微沟槽内填充有用于形成中子转换层的⁶LiF中子转换材料；同时在半绝缘GaAs衬底正面利用电子束或热蒸发工艺在正面肖特基区域沉积Ti/Pt/Au以形成正面肖特基金属电极，在半绝缘GaAs衬底背面利用电子束或热蒸发工艺沉积Mg/Au以形成背面欧姆金属电极。

2. 根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，其特征在于，所述半绝缘GaAs衬底的电子迁移率大于3500cm²/v.s，且1E8Ω·cm＜半绝缘GaAs衬底电阻率＜2.2E8Ω·cm，半绝缘GaAs衬底厚度为340 ～360μm。

3.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，其特征在于，所述SiO₂钝化层厚度为500～1000nm。

4.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，其特征在于，所述微沟槽宽度为15～30μm，深度为5～30μm，且相邻槽壁间距为15～30μm。

5.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，其特征在于，所述正面肖特基金属电极中Ti厚度为10～30nm，Pt厚度为20～60nm，Au厚度为60～70nm。

6.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，其特征在于，所述背面欧姆金属电极中Mg厚度为40～60nm，Au厚度为60～80nm。