[实用新型]一种阈值等比例开启电路有效
申请号: | 202120254064.X | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN214412688U | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 李明峰 | 申请(专利权)人: | 上海坤振集成电路有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 南京明杰知识产权代理事务所(普通合伙) 32464 | 代理人: | 周丹 |
地址: | 200135 上海市浦东新区南汇新城镇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阈值 比例 开启 电路 | ||
1.一种阈值等比例开启电路,其特征在于,包括:
开关阵列,所述开关阵列包括多个电流控制开关ISwitch;
输入端,所述输入端为开关阵列中各个电流控制开关ISwitch中的IN输入端口,各个输入端口与电压信号相连,通过电流控制开关ISwitch实现对电路的控制;
低压控制信号LVCTRL,所述低压控制信号LVCTRL与开关阵列中各个电流控制开关ISwitch中的ICTRL端口相连,低压控制信号LVCTRL控制阈值等比例电流产生电路,产生开启电流控制ISwitch开启对应开关;
输出端,所述输出端包括BATP端和BATN端,所述输出端将开关阵列中各个电流控制开关ISwitch的OUT端按奇偶解法进行区分,将第n个电流控制开关ISwitch的OUT端接到BATP端,所述n为奇数,将第m偶数个电流控制开关ISwitch的OUT端接到BATN端,所述m为偶数,且nm,所述BATP端和BATN端的另一端与放大器相连。
2.根据权利要求1所述的一种阈值等比例开启电路,其特征在于:所述开关阵列中的电流控制开关ISwitch为高压薄栅氧PMOS,所述高压薄栅氧PMOS包括PMOS管PM1、PMOS管PM2和电阻R1,所述PMOS管PM1和PMOS管PM2的源极与电阻R1的第一端相连,所述PMOS管PM1的漏极与输入端相连,所述PMOS管PM2的漏极与输出端相连,所述PMOS管PM1和PMOS管PM2的栅极与电阻R1的第二端相连,所述电阻R1的第二端与阈值等比例电流产生电路相连。
3.根据权利要求2所述的一种阈值等比例开启电路,其特征在于:所述阈值等比例电流产生电路包括:PMOS管PMP、电阻R2、PMOS管PML、电流源IO、NMOS管NMir和NMOS管NMir的镜像电路,所述PMOS管PMP的源极与电阻R2的第一端相连,所述PMOS管PMP的栅极与电阻R2的第二端及PMOS管PML的源极均相连,所述PMOS管PML的栅极与PMOS管PMP的漏极及电流源IO的第一端相连,所述PMOS管PML的漏极与NMOS管NMir的漏极相连,所述NMOS管NMir的源极与电流源IO的第二端接地,所述NMOS管NMir的栅极与NMOS管NMir的镜像电路相连,所述阈值等比例电流产生电路的连接方式中PMOS管PMP、电阻R2、PMOS管PML构成反馈环路。
4.根据权利要求3所述的一种阈值等比例开启电路,其特征在于:所述阈值等比例电流产生电路中NMOS管NMir的镜像电路包括NM1、NM2……NMn,所述NM1、NM2……NMn均为NMOS管且规格相同,所述NM1、NM2……NMn的栅极均与NMOS管NMir的栅极相连,所述NM1、NM2……NMn的源极均与NMOS管NMir的源极相连,所述NM1、NM2……NMn均有一个对应的且规格相同的NMOS管,所述NM1、NM2……NMn的漏极均与对应的NMOS管的源极相连,所有NM1、NM2……NMn对应的NMOS管的栅极均与低压控制信号LVCTRL相连,所有NM1、NM2……NMn对应的NMOS管的漏极均相连。
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