[实用新型]一种关断控制电路及其电子设备有效

专利信息
申请号: 202120227498.0 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN214177285U 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 肖余;肖明;王维铁 申请(专利权)人: 深圳市矽塔科技有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 代理人: 高雁飞
地址: 518000 广东省深圳市宝安区新安*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 控制电路 及其 电子设备
【权利要求书】:

1.一种关断控制电路,其特征在于,包括:第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一反相器X1、第二反相器X2、第一电流源I1、第二电流源I2和负载电阻RL;所述第一MOS管M1的栅极分别连接第一反相器X1的输出端、第二反相器X2的输入端和第三MOS管M3的栅极,第一反相器X1的输入端连接开关控制信号EN,第一MOS管M1的漏极分别连接第六MOS管M6的漏极和栅极以及第七MOS管M7的栅极,第一MOS管M1的源极连接第一电流源I1的输入端和第五MOS管M5的漏极,所述第二MOS管M2的栅极连接第二反相器X2的输出端,第二MOS管M2的源极连接第二电流源I2的输入端,第二MOS管M2的漏极连接第七MOS管M7的漏极、第九MOS管M9的栅极和第八MOS管M8的栅极;所述第三MOS管M3的漏极连接第九MOS管M9的漏极,第三MOS管M3的源极分别连接第四MOS管M4的栅极和漏极以及第五MOS管M5的栅极,所述第四MOS管M4的源极分别连接第五MOS管M5的源极、第一电流源I1的输出端、第二电流源I2的输出端、电源地GND和负载电阻RL的一端;第六MOS管M6的源极分别连接高压电源VM、第七MOS管M7的源极、第九MOS管M9的源极和第八MOS管M8的源极;第八MOS管M8的漏极连接负载电阻RL的另一端。

2.如权利要求1所述的关断控制电路,其特征在于,所述关断控制电路还包括稳压二极管D1,所述稳压二极管D1的正极连接第八MOS管M8的栅极,稳压二极管D1的负极连接第八MOS管8的源极。

3.如权利要求1所述的关断控制电路,其特征在于,所述关断控制电路还包括电阻R1,所述电阻R1的两端分别连接第九MOS管M9的源极和栅极。

4.如权利要求1所述的关断控制电路,其特征在于,所述第一MOS管M1、第二MOS管M2和第三MOS管M3是高压N型MOS管。

5.如权利要求1所述的关断控制电路,其特征在于,所述第四MOS管M4和第五MOS管M5是低压N型MOS管。

6.如权利要求1所述的关断控制电路,其特征在于,所述第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9是高压P型MOS管。

7.如权利要求1所述的关断控制电路,其特征在于,所述第八MOS管M8是开关功率管。

8.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至7任一项所述的关断控制电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市矽塔科技有限公司,未经深圳市矽塔科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120227498.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top