[实用新型]多区红外发射系统

权利要求书

1.多区红外发射系统，其特征在于：包括电源模块、红外发射电路、有源晶振，红外发射电路有多路，多路红外发射电路均与同一电源模块相连，每路红外发射电路均包括依次连接的主控单元、信号放大单元、红外发射接口，每路红外发射电路的主控单元均对应连接有拨码开关，每个红外发射接口均连接有一共红外发射头；

多个主控单元均与同一有源晶振相连。

2.根据权利要求1所述的多区红外发射系统，其特征在于：每个信号放大单元均包括MOS管Q1、MOS管Q3、三极管Q2、电阻R1、电阻R3，三极管Q2的基极与主控单元相连，三极管Q2的发射极分别与MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极相连，三极管Q2的集电极通过电源适配器与电源模块相连，MOS管Q1的源极与电源适配器相连，MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极相连，MOS管Q2的源极接地，电阻R3一端与三极管Q2的发射极相连，另一端接地，电阻R1一端与MOS管Q1的源极相连，另一端与三极管Q2的基极相连。

3.根据权利要求2所述的多区红外发射系统，其特征在于：每个信号放大单元还包括用于限流的电阻R2，电阻R2一端与三极管Q2的基极相连，另一端与主控单元相连。

4.根据权利要求2所述的多区红外发射系统，其特征在于：每个信号放大单元还包括用于电阻R4，电阻R4一端与MOS管Q3的源极连接，另一端接地。

5.根据权利要求2所述的多区红外发射系统，其特征在于：每个信号放大单元还包括用于对信号放大单元进行保护的二极管D1，二极管D1的阴极连接于MOS管Q1漏极与MOS管Q3漏极之间的线路上，二极管D1的阳极接地。

6.根据权利要求2所述的多区红外发射系统，其特征在于：MOS管Q1漏极与MOS管Q3漏极之间的线路上还通过插针连接有功率调节开关。

7.根据权利要求1所述的多区红外发射系统，其特征在于：主控单元还连接有用于显示红外信号频率的LED指示灯。

8.根据权利要求1所述的多区红外发射系统，其特征在于：主控单元还连接有用于对信号编码进行加密的模式进行选择的插针。