[实用新型]一种真空灭弧室用导电杆结构、真空灭弧室及极柱

说明书

本实用新型属于真空灭弧技术领域，公开了一种真空灭弧室用导电杆结构、真空灭弧室及极柱。真空灭弧室用导电杆结构包括动触头座、静触头座和磁加强组件。动触头座的一侧安装有动触头，另一侧安装有动导电杆；静触头座的一侧安装有静触头，另一侧安装有静导电杆，且静触头与动触头相向设置；动导电杆和静导电杆上均设有磁加强组件。本实用新型通过磁加强组件增强动导电杆或静导电杆的磁场，能防止导电杆距离触头座越远时磁场变弱，使得在导电杆上能保持强磁场，增加了真空灭弧室的开断能力；导电杆上均匀分布的较强磁场也能减少触头烧蚀的风险，并增加了电寿命。

技术领域

本实用新型涉及真空灭弧技术领域，尤其涉及一种真空灭弧室用导电杆结构、真空灭弧室及极柱。

背景技术

真空灭弧室是真空开关的核心元器件，需要可靠地承载、开断连续额定电流和短路故障电流。为了保证开断过程中电弧能量充足，可根据开断方式不同采用不同的结构加强开断口的电磁场。真空灭弧室的触头主要包括平板结构、横磁结构和纵磁结构。具有平板结构触头的真空灭弧室主要适用于无短路开断要求的情况下，其开断电流较小，因此采用现有结构即可满足要求。具有横磁结构触头或纵磁结构触头的真空灭弧室主要适用于有短路开断要求的情况下。由于开断电流较大，在没有磁场约束的情况下，触头间的真空电弧成为集聚形态且在触头表面移动缓慢，加剧触头表面局部烧蚀、熔化，导致开断失败。采用横磁结构触头或纵磁结构触头的真空灭弧室，可以通过对电流流经电极间时电流路径的设计，产生相应的磁场，实现对电弧的控制。横磁结构触头在电流流过时，产生的磁场与电弧方向垂直，磁场力驱动集聚形态的电弧在触头表面高速运动，避免触头局部严重烧蚀、熔化。常见的横磁触头有杯状结构和螺旋槽结构。纵磁结构触头在电流流过时，产生的磁场与电弧方向平行，磁场力约束电弧保持扩散形态，使电弧能量较均匀的分布在触头表面，避免触头表面局部严重烧蚀、熔化。常见的纵磁结构触头有杯状结构等。

在现有技术中，无论是横磁结构触头的真空灭弧室还是纵磁结构触头的真空灭弧室，均在触头杯座里放置电铁聚磁件以增强磁场，但是随着导电杆离电铁聚磁件距离的增加，磁场会急剧减弱，不但容易引起开断问题，而且磁场分布不均也会导致触头烧蚀，降低电寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种真空灭弧室用导电杆结构，以解决随着导电杆离触头座距离的增加，磁场会急剧减弱，电寿命低的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种真空灭弧室用导电杆结构，包括：

动触头座，所述动触头座的一侧安装有动触头，另一侧安装有动导电杆；

静触头座，所述静触头座的一侧安装有静触头，另一侧安装有静导电杆，且所述静触头与所述动触头相向设置；

磁加强组件，所述动导电杆和所述静导电杆上均设有所述磁加强组件，所述磁加强组件用于增强所述动导电杆或所述静导电杆的磁场。

作为优选，所述磁加强组件包括第一加强件，所述第一加强件包括通孔和聚磁铁杆；所述静导电杆或所述动导电杆一端的中部沿所述静导电杆或所述动导电杆的轴向开设所述通孔，所述聚磁铁杆设置于所述通孔内。

作为优选，所述磁加强组件还包括第二加强件，所述第二加强件包括凹槽,所述凹槽沿所述静导电杆或所述动导电杆的周向倾斜设置。

作为优选，所述静触头座和所述动触头座内均设有聚磁加强件，所述聚磁加强件用于加强所述静触头座和动触头座上的磁场。

作为优选，所述聚磁加强件为环状结构。

作为优选，所述动导电杆和所述动触头座为一体连接结构，所述静导电杆和所述静触头座为一体连接结构。

作为优选，所述动导电杆和所述静导电杆的材质均为无氧铜。

本实用新型的目的在于还提供一种真空灭弧室，以解决开断能力差的问题。