[实用新型]一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构

权利要求书

1.一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，包括：第一波导结构和第二波导结构，所述的第一波导结构位于所述第二波导结构的上方；

所述第二波导结构包括位于下层的第一电介质(110)和平铺在所述第一电介质上的石墨烯(120)；

所述第一波导结构包括位于所述石墨烯(120)之上的第二电介质（130）和放置在所述第二电介质(130)上的第三电介质(140)；

所述的第一电介质(110)和第二电介质(130)的折射率n的取值范围为1≤n≤2；所述的第三电介质(140)的折射率n2；

所述的第三电介质(140)为椭圆柱结构，所述椭圆柱的长度大于0且小于等于1cm。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的第二电介质(130)的端面上的横向宽度和第三电介质(140)的端面上的横向宽度均小于30μm，所述第二电介质(130)的端面上的纵向宽度小于7μm。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的椭圆柱结构的端面上的长轴或短轴为水平方向，且所述的石墨烯平面和所述第二电介质(130)的上表面均为水平面。

4.根据权利要求3所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的椭圆柱结构的端面上的竖直方向为短轴，水平方向为长轴，长轴与短轴比例为5:3。

5.根据权利要求4所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的短轴为12μm，长轴20μm。

6.根据权利要求1所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的第一电介质(110)和第二电介质(130)为HDPE，折射率为1.54，所述第三电介质(140)为GaAs，折射率为3.6。

7.根据权利要求1所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的第一电介质(110)或第二电介质(130)为MgF₂、SiO₂和KCl中的任意一种，所述第三电介质(140)为ZnO、CdS和Si中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的石墨烯(120)的层数为1-5层。