[实用新型]气源存储装置

说明书

本实用新型涉及半导体纳米薄膜沉积技术领域，特别涉及一种气源存储装置。该存储装置包括气瓶、存储室以及冷却通道，存储室开设有存储孔，气瓶配合地设置在存储孔中，冷却通道设置有两个，两个冷却通道相对设置在存储室的侧壁中，两个冷却通道分别设置在存储孔的两侧，每个冷却通道的两端均设置有进水管和出水管。本实用新型可保持气瓶内的前驱体源处于合适温度，以防止在使用过程中发生危险事故，提高安全性。

技术领域

本实用新型涉及半导体纳米薄膜沉积技术领域，特别涉及一种气源存储装置。

背景技术

随着IC复杂程度的不断提高，按照著名的摩尔定律和国际半导体行业协会公布的国际半导体技术发展路线图，硅基半导体集成电路中金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件的特征尺寸将达到纳米尺度。原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点，受到微电子行业和纳米科技领域的青睐。

现有技术中，原子层沉积加工的技术方案为：将基体放置在一个密封的反应器中，再通过将气相前驱体源交替地通入反应器，以在基体上化学吸附并反应形成沉积膜。

在实现本实用新型的技术方案中，申请人发现现有技术中至少存在以下不足：

现有技术中，前驱体源需存储在气瓶中，气瓶通过管路和反应器连通，根据需要控制管路的通断，即可实现前驱体源向反应器内的输送，但前躯体源是一种易燃易爆的气体，存储有大量前驱体源的安全性是急需要解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种气源存储装置，解决了或部分解决了现有技术中存储有大量前驱体源的安全性的技术问题。

本实用新型的技术方案为：

一种气源存储装置，所述存储装置包括：

气瓶；

存储室，所述存储室开设有存储孔，所述气瓶配合地设置在所述存储孔中；

冷却通道，所述冷却通道设置有两个，两个所述冷却通道相对设置在所述存储室的侧壁中，两个所述冷却通道分别设置在所述存储孔的两侧，每个所述冷却通道的两端均设置有进水管和出水管。

进一步地，所述存储室具有围成所述存储室的第一侧面、第二侧面、第三侧面、第四侧面、第五侧面以及第六侧面，所述第一侧面和所述第二侧面分别设置在所述存储室的顶部以及底部，所述第三侧面以及所述第四侧面沿水平横向相对设置，所述第五侧面以及所述第六侧面沿水平纵向相对设置，所述存储孔从所述第一侧面向所述第二侧面延伸；

所述冷却通道包括第一通道、第二通道、第三通道、第四通道以及第五通道，所述第一通道的第一端设置在所述第三侧面上，所述进水管连接在所述第一通道的第一端上，所述第一通道的第二端沿水平横向向所述存储室的内部延伸，所述第二通道的第一端设置在所述第三侧面上，所述出水管连接在所述第二通道的第一端上，所述第二通道的第二端沿水平横向向所述存储室的内部延伸，所述出水管位于所述进水管的正下方，所述第二通道的第二端到所述第四侧面的距离大于所述第一通道的第二端到所述第四侧面的距离，所述第三通道沿水平横向设置在所述存储室内，所述第三通道位于所述第二通道的下方，所述第三通道的第一端通过所述第四通道和所述第一通道的第二端连通，所述第三通道的第二端通过所述第五通道和所述第二通道的第二端连通。

进一步地，所述第二通道和所述第五通道呈十字形布置。

进一步地，所述第四通道以及所述第五通道均沿竖向设置。

进一步地，所述存储装置还包括第六通道，所述第六通道的第一端设置在所述第三侧面上，所述第六通道的第一端设置有第一堵头，所述第六通道的第二端和所述第三通道的第二端同轴连通。