[实用新型]一种半导体激光器低噪驱动电路有效

专利信息
申请号: 202120161040.X 申请日: 2021-01-21
公开(公告)号: CN213936858U 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 魏庆丰;尤敦喜 申请(专利权)人: 南京中科神光科技有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 代理人: 刘菊兰
地址: 210038 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 驱动 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体激光器低噪驱动电路,包括基准源并联输出模块、运放并联输出模块、运算放大器四、半导体激光器和取样电阻,运放并联输出模块包括一个以上并联的运算放大器,基准源并联输出模块包括至少一个并联的基准源芯片,基准源并联输出模块的输出端连接运算放大器四的脚3,运算放大器四的脚6连接运放并联输出模块的输入端,运放并联输出模块的输出端连接半导体激光器的输入端,半导体激光器的输出端通过电阻连接运算放大器四的脚2,半导体激光器的输出端通过取样电阻接地。本实用新型采用运算放大器并联和基准源芯片并联降低噪声的方式,可以在不降低带宽的情况下,降低驱动电路的噪声。

技术领域

本实用新型属于半导体激光器驱动电路技术领域,具体涉及一种半导体激光器低噪驱动电路。

背景技术

半导体激光器可以采用简单的注入电流的方式来泵浦,高光学性能的半导体激光器对驱动电路提出了很高的要求,尤其是单频半导体激光器。这种激光器最大的特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度),它的线宽普遍可以做到1MHz以内,目前最好的单频半导体激光器的线宽指标可以达到百Hz甚至Hz量级,这对驱动电路的噪声提出了严苛的要求。

传统的半导体激光器采用基于MOS管的压控恒流源电路,该压控恒流源电路示意图如图1所示,该电路由基准源、运算放大器U1、MOS管Q1、取样电阻R1和半导体激光器组成。电路原理为:流过半导体激光器上的电流通过串联的取样电阻以电压形式反馈到运算放大器的负输入端上,与运算放大器正输入端的参考电压比较放大后,驱动MOS管G极进而稳定半导体激光器的电流。

目前很多半导体激光器驱动的需求是电流噪声低并且可以实现高频电流调制(MHz量级)。传统半导体激光器驱动电路为满足电流低噪声的指标,会在电路中加入很多滤波措施,这样会降低半导体激光器驱动电路的带宽,而不加入滤波电路却很难实现低噪的指标,达不到半导体激光器窄线宽的需求。

实用新型内容

技术目的:针对现有技术中存在的问题,本实用新型公开了一种半导体激光器低噪驱动电路,不采用以MOS管为核心元器件的压控恒流源的驱动电路,而采用运算放大器并联输出的方式驱动半导体激光器,实现电流噪声低并且可以高频调制。

技术方案:本实用新型采用如下技术方案:一种半导体激光器低噪驱动电路,其特征在于,包括基准源并联输出模块、运放并联输出模块、运算放大器四、半导体激光器和取样电阻,其中:

基准源并联输出模块的输出端连接运算放大器四的脚3,运算放大器四的脚2通过串联的电阻十二和电容二连接运算放大器四的脚6,运算放大器四的脚6连接运放并联输出模块的输入端,运放并联输出模块的输出端连接半导体激光器的输入端,半导体激光器的输出端通过电阻十三连接运算放大器四的脚2,半导体激光器的输出端连接取样电阻的一端,取样电阻的另一端接地。

优选地,运放并联输出模块包括一个以上并联的运算放大器,其中:

每个运算放大器的脚2连接该运算放大器的脚6,每个运算放大器的脚3连接运放并联输出模块的输入端,每个运算放大器的脚6分别通过电阻连接运放并联输出模块的输出端。

优选地,与每个运算放大器的脚6连接的电阻的电阻值大于或等于1欧姆,小于10欧姆。

优选地,基准源并联输出模块包括一个以上并联的基准源芯片,其中:

每个基准源芯片的脚1连接VCC电压,每个基准源芯片的脚3接地,每个基准源芯片的脚2分别通过电阻连接基准源并联输出模块的输出端。

优选地,与每个基准源芯片的脚2连接的电阻的电阻值的范围为10-100欧姆。

优选地,基准源并联输出模块包括一个基准源芯片,其中:

基准源芯片的脚1连接VCC电压,基准源芯片的脚3接地,基准源芯片的脚2连接基准源并联输出模块的输出端。

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