[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202120157855.0 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN213878087U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡佩庭 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；
设置于所述下电极周围的支撑结构；
覆盖所述下电极表面、所述支撑结构表面并延伸至所述有源区边缘的第一介电层；
覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极，以及覆盖所述上电极表面的第二介电层；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；
位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的侧壁位于所述上电极凸起内部。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层，且所述第一接触孔的底部与其下方的所述上电极接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层以及所述第一接触孔下方的所述上电极。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述支撑结构包括位于所述下电极顶部位置的顶部支撑结构和至少一个位于所述下电极中间位置的中间支撑结构。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述上电极包括：
覆盖所述第一介电层表面的上电极接触层；
覆盖所述上电极接触层表面的上电极填充层；
覆盖所述上电极填充层表面的上电极连接层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介电层包括填充于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧的第一子介电层，以及覆盖所述下电极阵列上方的所述上电极表面和所述第一子介电层表面的第二子介电层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一子介电层的表面与所述下电极阵列上方的所述上电极表面相平齐。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
填充于所述第一接触孔内的第一接触塞。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
位于所述有源区周围的外围区；
位于所述外围区上方并贯穿所述第二介电层的第二接触孔。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
填充于所述第二接触孔内的第二接触塞。
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