[实用新型]扩晶装置、扩晶设备有效
| 申请号： | 202120123169.1 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN213905338U | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 罗小虎;陈为波;张继栋;曹诚 | 申请（专利权）人： | 东莞市瑞勤电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 张靖琳 |
| 地址： | 523129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 设备 | ||
1.一种扩晶装置，其特征在于，包括：
第一固定圈，与第一薄膜固定连接，所述第一薄膜至少覆盖所述第一固定圈的内环所围绕的区域，且所述第一薄膜的承载区用于承载晶圆；以及
第二固定圈，位于所述第一固定圈上，与第二薄膜固定连接，所述第二薄膜具有镂空区和延伸部，所述镂空区与所述第一薄膜的承载区相对，
其中，所述第一薄膜被延展，以使所述承载区沿所述第一固定圈到所述第二固定圈的方向移动且所述第一薄膜与所述第二薄膜的延伸部接触固定。
2.根据权利要求1所述的扩晶装置，其特征在于，还包括垫块，位于所述第一固定圈与所述第二固定圈之间，以使所述第一固定圈和所述第二固定圈分隔，
其中，所述承载区的移动距离与所述垫块的厚度对应。
3.根据权利要求1所述的扩晶装置，其特征在于，所述第二薄膜与所述第一薄膜的接触部分呈环状围绕所述第一薄膜的承载区。
4.根据权利要求2所述的扩晶装置，其特征在于，所述垫块包括分体式垫块。
5.根据权利要求1-4任一项所述的扩晶装置，其特征在于，所述第一固定圈与所述第二固定圈的内环尺寸相同。
6.根据权利要求1-4任一项所述的扩晶装置，其特征在于，所述第一固定圈与所述第二固定圈均为金属圈。
7.一种扩晶设备，其特征在于，包括：
如权利要求1至6任一项所述的扩晶装置；以及
顶膜结构，用于延所述第一固定圈到所述第二固定圈的方向往复移动，以延展所述第一薄膜，
其中，所述第一固定圈的内环所围绕的区域不小于所述顶膜结构的尺寸，以便于所述顶膜结构通过所述第一固定圈的内环。
8.根据权利要求7所述的扩晶设备，其特征在于，所述顶膜结构具有与所述第一薄膜直接接触的接触面。
9.根据权利要求7所述的扩晶设备，其特征在于，还包括压膜结构，用于在所述第一薄膜被延展后向所述第二薄膜的延伸部和所述第一薄膜的接触区提供作用力，以使所述第二薄膜的延伸部和所述第一薄膜固定连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
