[实用新型]反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片有效
| 申请号： | 202120117254.7 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN214313231U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 封波;彭翔;金力 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 结构 gan 薄膜 led 芯片 | ||
1.一种反射结构，其特征在于，所述反射结构中包括：金属反射层及设置于所述金属反射层表面由介电材料形成的介电反射层，所述介电反射层中包括填充有导电材料的第一通孔，且所述介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层上表面均设置有透明导电层。
2.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于，所述介电反射层上表面设置的透明导电层的厚度为
3.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于，所述介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间设置的透明导电层的厚度为
4.如权利要求1或2或3所述的反射结构，其特征在于，所述介电反射层的厚度为
5.如权利要求1或2或3所述的反射结构，其特征在于，所述金属反射层为Ag反射层或Al反射层，厚度为
6.如权利要求1或2或3所述的反射结构，其特征在于，所述介电反射层中第一通孔内填充的导电材料与金属反射层的材料相同。
7.一种GaN基薄膜型结构LED芯片，其特征在于，包括：
支撑衬底；
半导体发光结构，包括依次堆叠于所述支撑衬底表面的p型半导体层、发光层及n型半导体层；
于所述支撑衬底和半导体发光结构之间设置的如权利要求1～6任意一项所述的反射结构，所述介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层与半导体发光结构的接触面之间均设置有透明导电层；及
设置于所述半导体发光结构表面的n电极。
8.如权利要求7所述的GaN基薄膜型结构LED芯片，其特征在于，所述介电反射层与半导体发光结构的接触面之间设置的透明导电层的厚度为
9.一种GaN基薄膜型结构LED芯片，其特征在于，包括：
支撑衬底，表面包括发光区域和焊盘区域，其中，
所述发光区域表面设置有：
半导体发光结构，包括依次堆叠于所述支撑衬底表面的p型半导体层、发光层及n型半导体层；
于所述支撑衬底和半导体发光结构之间设置的如权利要求1～6任意一项所述的反射结构，其中，金属反射层通过一介电材料层设置于所述支撑衬底表面，介电反射层设置于所述金属反射层表面，且所述介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层与半导体发光结构的接触面之间均设置有透明导电层；及
填充有导电材料的第二通孔，所述第二通孔贯穿所述介电材料层、反射结构、p型半导体层及发光层将n型半导体层连接至支撑衬底，且所述第二通孔侧壁填充有介电材料；
所述焊盘区域表面依次设置有介电材料层、部分金属反射层及p电极。
10.如权利要求9所述的GaN基薄膜型结构LED芯片，其特征在于，所述介电反射层与半导体发光结构的接触面之间设置的透明导电层的厚度为
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