[实用新型]集成IPD技术封装的滤波器

说明书

本实用新型提供了一种集成IPD技术封装的滤波器，包括：体声波谐振器区域、盖板区域；所述体声波谐振器区域设置于集成IPD技术封装的滤波器的上半部分；所述盖板区域设置于下半部分；所述盖板区域包括：集总元件；该滤波器可以在完成自身封装的同时实现设定的滤波性能。所述体声波谐振器区域包括：硅衬底、体声波谐振器；所述体声波谐振器设置于硅衬底上。本实用新型针对所提出的新型滤波器设计了一套合理的加工流程，可以降低工艺复杂度，提高产品的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及滤波器技术领域，具体地，涉及一种集成IPD技术封装的滤波器。

背景技术

随着5G通信技术的快速发展，市场对小型化、高性能滤波器的需求越来越高。专利文献CN201210345115.5公开了一种压电声波滤波器和芯片封装结合的结构，该专利提出在连接压电声波滤波器的电感之间引入互感，调节压电声波滤波器传输零点的位置，并改善滤波器的高频性能。

现有技术的不足之处是：常规滤波器所使用的集总元件，往往由表面安装的元器件来实现，每一个电感、电容都会占用很大的空间，而本专利所提出的滤波器所用集总元件通过IPD技术来实现，这将极大的降低整体滤波器的尺寸；常规使用IPD技术实现集总元件的滤波器，其集总元件往往需要额外的封装成独立器件然后与谐振器连接，而本专利所提出的滤波器利用IPD技术将所需的集总元件集成在体声波谐振器的封装盖板上，并通过铜柱连接谐振器和集总元件，使得滤波器在实现良好封装的同时可以达到设定的性能；常规的基于IPD集总元件和体声波谐振器的混合型滤波器所需要的IPD元件和谐振器通常是单独封装再进行互联，常规封装工艺可能存在稳定性差，加工复杂度高等问题。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种集成IPD技术封装的滤波器。

根据本实用新型提供的一种集成IPD技术封装的滤波器，包括：体声波谐振器区域、盖板区域；所述体声波谐振器区域设置于集成IPD技术封装的滤波器的上半部分；所述盖板区域设置于下半部分；所述盖板区域包括：集总元件；该滤波器可以在完成自身封装的同时实现设定的滤波性能。所述体声波谐振器区域包括：硅衬底、体声波谐振器；所述体声波谐振器设置于硅衬底上。

优选地，所述体声波谐振器采用以下任意一种或者多种结构：

-硅反面刻蚀结构；

-空隙结构；

-布拉格反射层结构；

优选地，所述集总元件采用利用IPD技术加工的集总元件。

优选地，所述集总元件包括：电容、电感；

所述集总元件通过IPD技术集成在硅衬底表面的氧化硅层中；

优选地，所述体声波谐振器区域、盖板区域通过铜柱进行连接。

优选地，所述盖板区域包括：IPD盖板；

所述IPD盖板能够与体声波谐振器所在芯片进行键合。

优选地，所述体声波谐振器区域的输入端和体声波谐振器区域的的输出端通过两个金属过孔延伸到IPD盖板的上表面。

优选地，还包括：金属焊盘；

所述金属焊盘设置于IPD盖板的表面。

优选地，还包括：金属焊盘；

所述金属焊盘的表面设置有一层锡来帮助滤波器焊接到特定电路中。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

1、本实用新型针对所提出的新型滤波器设计了一套合理的加工流程，可以降低工艺复杂度，提高产品的稳定性；