[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 202120080545.3 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN214279951U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李仲培 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
衬底，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
第一芯片，其设置于所述衬底的所述第一表面上；
第二芯片，其设置于所述衬底的所述第一表面上并与所述第一芯片相邻；
封装件，其囊封所述第一芯片及所述第二芯片；及
沟槽结构，其从所述衬底的所述第二表面上凹陷并在所述第一芯片及所述第二芯片之间。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述沟槽结构的深度小于所述衬底的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述沟槽结构的深度大于或相当于所述衬底的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述沟槽结构为一组虚线段，其中所述衬底沿所述沟槽结构包含至少一未切割段。
5.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包含互连结构，所述互连结构位于所述衬底中，并投射地越过所述沟槽结构。
6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包含互连结构，所述互连结构位于所述衬底沿所述沟槽结构的所述未切割段中。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片的厚度为100μm至200μm，且所述衬底的边缘长度大于15mm。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包含：
导电凸块，其设置于所述衬底的所述第二表面上，其中所述导电凸块的排列与所述第一芯片与所述第二芯片的设置位置相对应。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电凸块包含第一导电凸块及与所述第一导电凸块相邻的第二导电凸块，且所述沟槽结构设置于所述第一导电凸块与所述第二导电凸块之间，其中所述沟槽结构的宽度小于所述第一导电凸块与所述第二导电凸块之间的间隔距离。
10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包含载体，所述载体通过所述导电凸块接合至所述衬底。
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