[实用新型]断电记忆电路和超声雾化设备有效

专利信息
申请号: 202120080437.6 申请日: 2021-01-12
公开(公告)号: CN214067637U 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 梁康毅;钟健松;欧启斌;付桂婵 申请(专利权)人: 悠悦家居(佛山)有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042;H03K17/22
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭浩辉;颜希文
地址: 528000 广东省佛山市南海区狮山镇狮山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 断电 记忆 电路 超声 雾化 设备
【权利要求书】:

1.一种断电记忆电路,其特征在于,所述断电记忆电路包括:断电检测电路、充放电电路、以及分别与所述断电检测电路和所述充放电电路相连接的控制单元;

所述断电检测电路,用于检测设备的供电状态;

所述充放电电路,用于在所述设备处于断电状态时向所述控制单元供电;

所述控制单元,用于根据所述供电状态执行写入或读取设备的工作状态的操作。

2.根据权利要求1所述的断电记忆电路,其特征在于,所述充放电电路包括:相互并联的充放电电容和第一电容;

所述充放电电容和所述第一电容相互并联的两端分别连接电源和接地。

3.根据权利要求1所述的断电记忆电路,其特征在于,所述断电检测电路包括:三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;

所述第一电阻的两端分别与所述三极管的基极和电源相连;

所述第二电阻的两端分别与所述三极管的集电极和所述控制单元相连;

所述第三电阻的两端分别与所述三极管的基极和发射极相连;

所述三极管的发射极接地。

4.根据权利要求1所述的断电记忆电路,其特征在于,所述控制单元为MCU,所述MCU中设置有Flash芯片。

5.根据权利要求1所述的断电记忆电路,其特征在于,所述控制单元包括:Flash芯片和MCU;所述MCU分别与所述Flash芯片、所述充放电电路和所述断电检测电路相连;

所述Flash芯片,用于存储所述设备的工作状态;

所述MCU,用于根据所述供电状态执行在所述Flash芯片中写入或从所述Flash芯片中读取所述设备的工作状态。

6.一种超声雾化设备,其特征在于,所述超声雾化设备包括权利要求1至5中任一项所述的断电记忆电路。

7.根据权利要求6所述的超声雾化设备,其特征在于,所述超声雾化设备为香薰机或加湿器。

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