[实用新型]一种反应腔装置有效

专利信息
申请号: 202120045068.7 申请日: 2021-01-08
公开(公告)号: CN213878020U 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 邱勇;吴堃;张朋兵;陈世名 申请(专利权)人: 上海谙邦半导体设备有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683;G03F7/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201306 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 反应 装置
【权利要求书】:

1.一种反应腔装置,其特征在于,包括:

反应腔主体;

位于所述反应腔主体内的晶圆承载平台,所述晶圆承载平台的表面适于放置晶圆,所述晶圆承载平台沿着晶圆承载平台的上表面包括若干个间隔的温控区域,各温控区域之间具有热隔离通道。

2.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,还包括:若干个加热单元,所述加热单元适于给所述温控区域进行加热。

3.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,还包括:若干个温度测试单元,所述温度测试单元适于测试所述温控区域的温度。

4.根据权利要求3所述的反应腔装置,其特征在于,所述温度测试单元包括热电偶。

5.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,所述若干个间隔的温控区域包括第一温控区域至第N温控区域,第k+1温控区域环绕第k温控区域,N为大于或等于2的整数,k为大于或等于1且小于或等于N-1的整数。

6.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,所述若干个间隔的温控区域包括第一温控区域至第N温控区域,N为大于或等于3的整数,第二温控区域至第N温控区域整体环绕第一温控区域,第二温控区域至第N温控区域沿着所述第一温控区域的周向进行排布。

7.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,所述若干个间隔的温控区域包括第一温控区域至第N温控区域,N为大于或等于2的整数,第一温控区域至第N温控区域沿着所述晶圆承载平台的周向排布。

8.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,还包括:位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元;所述反应腔主体的顶部设置有隔离栅网;所述感性耦合射频单元位于所述隔离栅网的上方;贯穿所述反应腔主体的底壁的出气口。

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