[实用新型]一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板

说明书

本实用新型涉及一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，它包括支撑框、设于支撑框内的第一阶梯凹槽以及设于第一阶梯凹槽底面上的第二阶梯凹槽；所述第一阶梯凹槽底面上环设有支撑硅片四周边缘的支撑块，其平整度不能超过0.5mm。本实用新型的目的在于提供一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，在硅片在PECVD沉积中能减少绕镀，提高膜层质量。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板。

背景技术

载板承载着硅片进入PECVD腔室进行非晶硅薄膜沉积。硅片在腔室内快速升温，使得硅片在短时间内达到工艺所需温度，是决定PECVD镀膜沉积效率的先决条件。硅片内各个点的温度、膜层厚度的均匀性以及镀膜时避免绕镀是决定电池片性能高低的关键因素。

硅片的升温速率、镀膜均匀性、不绕镀与PECVD的载板密切相关，传统的载板结构有全实心结构和全镂空结构，全实心结构一般为硅片与载板全面积接触，达到硅片与载板同步加热，因硅片热容远小于载板的热容，硅片的温度完全受控于载板，欲把硅片温度加热到工艺温度，必须先把载板的温度加热到工艺温度，严重降低了系统的升温效率，且全面积接触容易造成硅片的非晶硅膜层与载板产生不同程度的摩擦，影响电池的电气性能；而全镂空结构的优点在于硅片与载板的接触面积少，膜层与载板间摩擦少，同时温度控制可以通过气体传导方式进行，便于控制，然而全镂空结构由于硅片中间部位镂空，镀膜时，辉光等离子体容易从下方镂空绕镀进去，导致硅片上面镀膜时，下方也受等离子体影响而镀上非需要膜层。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，在硅片在PECVD沉积中能减少绕镀，提高膜层质量。

本实用新型的目的通过如下技术方案实现：

一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，它包括支撑框、设于支撑框内的第一阶梯凹槽以及设于第一阶梯凹槽底面上的第二阶梯凹槽；所述第一阶梯凹槽底面上环设有支撑硅片四周边缘的支撑块，其平整度不能超过0.5mm。

较之现有技术而言，本实用新型的优点在于：

(1)支撑块平整度高，与硅片四周边缘充分接触，避免硅片边缘与支撑块间产生缝隙，减少等离子镀膜时产生绕镀的问题；

(2)第二阶梯凹槽底面为网状结构，使得基板热量能通过孔洞气流快速传导到硅片上，升温速率快，同时网孔越小，越能够防止等离子体从下方绕镀到非镀膜面。

(3)支撑框的硅片无接触表面为粗糙结构，可减少因膜层累积造成的载板脱膜现象。

附图说明

图1是本实用新型一种实施例的剖视图。

图2是图1的俯视图。

图3是图1中所示支撑块的俯视图；

图4是图1中所示支撑框的俯视图；

图5是图1所示结构组成整体载板的示意图。

具体实施方式

一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，其特征在于：它包括支撑框、设于支撑框内的第一阶梯凹槽以及设于第一阶梯凹槽底面上的第二阶梯凹槽；所述第一阶梯凹槽底面上环设有支撑硅片四周边缘的支撑块，其平整度不能超过 0.5mm。

所述支撑块的上表面低于支撑框上表面。

所述支撑块为一体式结构，和/或，所述支撑块与第一阶梯凹槽为可拆装设计。

所述支撑块的材质为玻璃或陶瓷。

所述支撑块的宽度不小于第一阶梯凹槽底面的宽度。一实施例中，所述支撑块的宽度比第一阶梯凹槽底面的宽度大10％。

所述第一阶梯凹槽底面宽度为2-6mm。