[实用新型]一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构

说明书

本实用新型是降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其结构包括衬底层和位于衬底层表面的源区金属层、漏区金属层、栅区金属层；衬底层上方与源区金属层、漏区金属层、栅区金属层之间从下至上依次设有水平N+漏层、N‑漂移区、P型阱区层和N+型源区层；还包括双沟槽结构：槽型多晶硅栅区和槽型场氧；槽型场氧右侧设与水平N+漏层连接的纵向N+漏区；源区金属层、漏区金属层、栅区金属层分别通过接触孔内金属分别与N+型源区层、纵向N+漏区、槽型多晶硅栅区连接。本实用新型的优点：结构设计合理，利用表面漏区缩短了载流子在高阻区的漂移路径，能有效的减少其导通电阻。

技术领域

本实用新型涉及的是一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，属于半导体技术领域。

背景技术

随着半导体集成电路技术的不断发展，芯片尺寸不断缩小，操作电压也越来越小，因此对电源管理尤其是低压直流-直流降压转换的效率的要求越来越高，高效率小体积开关模式电源应运而生。

这种功率MOS器件的应用相当广泛，可普及到现代生活的每一个角落。比如在PC、笔记本电脑领域，同时电动车、油电混合车(新能源车)、快速充电、无线充电等领域的应用也正在快速兴起，几乎所有的这些领域都用到这种功率MOSFET器件，而Trench MOSFET则是这个大家庭的重要成员。

众所周知，功率MOSFET的击穿电压与导通电阻间的矛盾关系备受关注，往往在优化导通电阻的同时，其击穿电压也会下降。

现有技术传统低压Trench MOSFET器件结构其漏极位于衬底层背面，其导通电阻主要由源极接触电阻、源区体电阻、沟道电阻、积累层电阻、寄生结型晶体管电阻，漂移层电阻、衬底电阻、以及漏极接触电阻组成，在低压Trench MOSFET中，漂移层电阻约占比23％。

实用新型内容

本实用新型提出的是一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其目的旨在克服现有技术存在的上述不足，通过位于衬底层表面的N+漏极，在器件开通时，载流子直接通过界面漏区N+和源区N+之间的N-漂移区，大大缩短了载流子在低掺杂区即高阻区的运动距离，从而降低器件导通电阻。

本实用新型的技术解决方案：一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其结构包括衬底层和位于衬底层表面的源区金属层、漏区金属层、栅区金属层；衬底层上方与源区金属层、漏区金属层、栅区金属层之间从下至上依次设有水平N+漏层、N-漂移区、P型阱区层和N+型源区层；还包括双沟槽结构：槽型多晶硅栅区和槽型场氧；槽型场氧右侧设与水平N+漏层连接的纵向N+漏区；源区金属层、漏区金属层、栅区金属层分别通过接触孔内金属分别与N+型源区层、纵向N+漏区、槽型多晶硅栅区连接。

优选的，所述的P型阱区层高度不超过沟槽结构的底部。

优选的，所述的槽型多晶硅栅区顶部位于N+型源区层的底部之上。

优选的，所述的槽型多晶硅栅区内壁及底部附有绝缘栅氧化层，绝缘栅氧化层中间填充有多晶硅，多晶硅与绝缘栅氧化层侧面端及底部接触。

优选的，所述的多晶硅的高度小于沟槽结构的深度。

优选的，所述的槽型场氧贯穿N+型源区层、P型阱区层及N-漂移区，槽型场氧底部与水平N+漏层表面接触，槽型场氧内填充二氧化硅。

优选的，还包括绝缘介质层，绝缘介质层位于N+型源区层上方，绝缘介质层上开有接触孔。

本实用新型的优点：结构设计合理，利用表面漏区缩短了载流子在高阻区的漂移路径，能有效的减少其导通电阻。具体的，衬底层表面N+漏区，同时采用双氧化槽：槽型场氧和槽型多晶硅栅，器件开通时，利用表面N+漏区结构，降低了载流子在漂移区的漂移距离；器件关断时，利用槽型场氧右侧薄硅内将存在大量电离施主正电荷，能有效地均匀整个有源区电场分布，有利于器件横向尺寸的进一步缩小。

附图说明