[实用新型]瞬态响应增强的双环路LDO电路

权利要求书

1.一种瞬态响应增强的双环路LDO电路，包括误差放大器EA、第一电阻R1、第二电阻R2、负载电容C1和功率管MP，其特征是，还包括第一MOS管MN、电流采样电路和瞬态响应增强电路，所述误差放大器EA的一个输入端与外部参考电压VREF1连接，另一输入端分别与第一电阻R1、第二电阻R2连接，所述第一电阻R1的另一端分别与功率管MP的漏极、第一MOS管MN的漏极和LDO电路的输出端VOUT连接，所述第二电阻R2的另一端接地，所述误差放大器EA的输出端与功率管MP的栅极连接，所述功率管MP的源极与输入电压VIN连接，所述第一MOS管MN的栅极与第一MOS管MN的漏极连接，所述第一MOS管MN的源极接地，所述负载电容C1跨接在LDO电路的输出端VOUT和地之间；

所述电流采样电路包括第一输入端VIN1、第二输入端VMP和第一输出端VO1，所述瞬态响应增强电路包括第三输入端VIN2、第四输入端V2、第五输入端VREF2、第六输入端VDD和第二输出端VO2，所述第一输入端VIN1、第三输入端VIN2分别与输入电压VIN连接，所述第二输入端VMP与功率管MP的栅极连接，所述第一输出端VO1与第四输入端V2连接，所述第五输入端VREF2与外部参考电压VREF2连接，所述第六输入端VDD与外部电压VDD连接，所述第二输出端VO2与功率管MP的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的瞬态响应增强的双环路LDO电路，其特征是，所述电流采样电路还包括第二MOS管MS、第三MOS管M1、第四MOS管M2、第五MOS管M3、第六MOS管M4、第七MOS管M5、第八MOS管M6、第一电流源I1和第二电流源I2；所述第二MOS管MS的栅极分别与第二输入端VMP、第三MOS管M1的栅极、第四MOS管M2的栅极连接、第四MOS管M2的漏极以及第七MOS管M5的漏极连接，所述第二MOS管MS的漏极分别与第五MOS管M3的栅极、第六MOS管M4的栅极连接，所述第二MOS管MS的源极、第三MOS管M1的源极、第四MOS管M2的源极分别与第一输入端VIN1连接；所述第三MOS管M1的漏极与第六MOS管M4的漏极连接，所述第五MOS管M3的漏极与第一电流源I1连接，所述第一电流源I1的另一端与第一输入端VIN1连接，所述第七MOS管M5的栅极分别与第八MOS管M6的栅极、第八MOS管M6的漏极、第一输出端VO1和第二电流源I2连接，所述第二电流源I2的另一端与第一输入端VIN1连接，所述第五MOS管M3的源极、第六MOS管M4的源极、第七MOS管M5的源极、第八MOS管M6的源极分别接地。

3.根据权利要求2所述的瞬态响应增强的双环路LDO电路，其特征是，所述第二MOS管MS、第三MOS管M1、第四MOS管M2为P型MOS管；所述第五MOS管M3、第六MOS管M4、第七MOS管M5、第八MOS管M6为N型MOS管。

4.根据权利要求2所述的瞬态响应增强的双环路LDO电路，其特征是，所述第三MOS管M1、第四MOS管M2组成电流镜，所述第七MOS管M5、第八MOS管M6组成电流镜。

5.根据权利要求2所述的瞬态响应增强的双环路LDO电路，其特征是，所述第一电流源I1、第二电流源I2为电流镜。