[发明专利]采样保持开关及采样保持电路

权利要求书

1.一种采样保持开关，用于采样待测信号，并输出采样信号，其中，所述采样保持开关包括：

第一场效应管，所述第一场效应管具有栅极、漏极、源极，体电极，其中，所述第一场效应管的栅极受控于第一栅极控制信号，所述第一场效应管的源极接收所述待测信号，所述第一栅极控制信号提示关断所述第一场效应管的电位等于所述第一场效应管体电极电位，所述第一场效应管的体电极电位等于或小于所述待测信号的电位；

第二场效应管，所述第二场效应管具有栅极、漏极、源极和体电极，其中，所述第二场效应管的漏极耦接所述第一场效应管的漏极，所述第二场效应管的栅极受控于一个第二栅极控制信号，所述第二栅极控制信号被配置为使得所述第二场效应管的开通和关断同所述第一场效应管同步。

2.根据权利要求1所述的采样保持开关，其中，所述第一场效应管和第二场效应管为NMOS场效应管，所述第一栅极控制信号的低电平电位和所述第一场效应管的体电极电位等于所述待测信号的电位。

3.根据权利要求1所述的采样保持开关，进一步包括一个第三场效应管，所述第三场效应管和所述第二场效应管的导电类型相反，所述第三场效应管同所述第二效应管并联，所述第三场效应管的开通和关断同所述第二场效应管同步。

4.根据权利要求1所述的采样保持开关，进一步包括一个常通的第四场效应管，所述第四场效应管通过连接所述第二场效应管的源极同所述第二场效应管串联，所述第四场效应管输出所述采样信号。

5.根据权利要求1所述的采样保持开关，其中，所述第二场效应管的源极输出所述采样信号。

6.根据权利要求1所述的采样保持开关，其中，所述采样保持开关位于集成电路中，所述第一场效应管具有第一导电类型，形成于一个具有第二导电类型的第一区域中，所述第二场效应管具有第一导电类型，形成于一个具有第二导电类型的第二区域中，所述第一区域和所述第二区域之间具有隔离结构以实现电位隔离。

7.根据权利要求5所述的采样保持开关，其中，所述第一区域为一个第二导电类型的浅阱区，所述第二区域为一个第二导电类型的衬底层，所述隔离结构为一个具有第一导电类型的深阱区，所述浅阱区形成于所述深阱区中，所述深阱区形成于所述衬底层中，将所述浅阱区同所述衬底层隔离开来。

8.根据权利要求6所述的采样保持开关，其中，所述深阱区电位被配置为使所述深阱区同所述衬底层界面上的PN结，以及所述深阱区同所述浅阱区界面上的PN结均截止。

9.根据权利要求6所述的采样保持开关，其中，所述深阱区自上表面引出电极以配置所述深阱区电位。

10.一种采样保持电路，所述采样保持电路用于采样并保持待测信号，包括：

如权利要求1-9任意所述的采样保持开关；

采样电容，具有第一端和第二端，其中所述第一端耦接所述采样保持开关接收所述采样信号，所述第二端接地。

11.如权利要求10所述的采样保持电路，进一步包括电平移位电路，所述电平移位电路接收所述第二栅极控制信号，对所述第二栅极控制信号进行电平移位以生成所述第一栅极控制信号。

12.如权利要求11所述的采样保持电路，其中，所述电平移位电路具有：

第一支路，具有串联的第一N型开关管和第一P型开关管，其中第一N型开关管的控制端受控于所述第二栅极控制信号，所述第一N型开关管的第一端同所述第一P型开关管的第二端耦接，所述第一N型开关管的第二端耦接接收所述待测信号，所述第一P型开关管的第一端接收一个电源电压；

第二支路，具有串联的第二N型开关管和第二P型开关管，其中第二N型开关管的控制端受控于所述第二栅极控制信号的反相信号，所述第二N型开关管的第一端同所述第一P型开关管的控制端以及所述第二P型开关管的第二端相连接，所述第二P型开关管的控制端连接所述第一N型开关管的第一端，所述第二N型开关管的第二端耦接接收所述待测信号，所述第二P型开关管的第一端接收所述电源电压。