[发明专利]基于化合物的纯耗尽型逻辑电路及复合逻辑电路

权利要求书

1.一种基于化合物的纯耗尽型逻辑电路，其特征在于，包括：

电平转换电路，配置为接入输入信号，并对所述输入信号进行分压和电平位移，以输出第一逻辑信号；

反相电路，与所述电平转换电路连接，配置为基于耗尽型HEMT晶体管对所述第一逻辑信号进行反相，以输出第二逻辑信号；所述反相电路由单电源供电。

2.如权利要求1所述的基于化合物的纯耗尽型逻辑电路，其特征在于，所述单电源为正压电源，所述反相电路与所述正压电源连接，所述正压电源配置为提供正压电压；

所述反相电路具体配置为基于所述耗尽型HEMT晶体管根据所述正压电压对所述第一逻辑信号进行反相，以输出所述第二逻辑信号。

3.如权利要求2所述的基于化合物的纯耗尽型逻辑电路，其特征在于，所述反相电路包括第一负载、第一耗尽型HEMT晶体管、第一二极管以及第一电阻；

所述第一电阻的第一端作为所述反相电路的输入端，与所述电平转换电路连接，以输入所述第一逻辑信号；

所述第一电阻的第二端与所述第一耗尽型HEMT晶体管的栅极连接，所述第一耗尽型HEMT晶体管的源极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与电源地连接；

所述第一耗尽型HEMT晶体管的漏极和所述第一负载的第一端共同作为所述反相电路的输出端，以输出所述第二逻辑信号；

所述第一负载的第二端作为所述反相电路的正压电压输入端，与所述正压电源连接，以输入所述正压电压。

4.如权利要求2所述的基于化合物的纯耗尽型逻辑电路，其特征在于，所述电平转换电路包括n个第一电平平移元件、第二电阻以及第三电阻；

n个所述第一电平平移元件依次同相串联；n为正整数；

第1个所述第一电平平移元件的正极作为所述电平转换电路的输入信号输入端，以接入所述输入信号；

第n个所述第一电平平移元件的负极与所述第二电阻的第一端连接；

所述第二电阻的第二端和所述第三电阻的第一端共同作为所述电平转换电路的第一逻辑信号输出端，与所述反相电路连接，以输出所述第一逻辑信号；

所述第三电阻的第二端与电源地连接。

5.如权利要求4所述的基于化合物的纯耗尽型逻辑电路，其特征在于，所述第一电平平移元件包括基于化合物的二极管和/或基于化合物的HEMT晶体管；

当所述第一电平平移元件包括所述基于化合物的HEMT晶体管时，所述基于化合物的HEMT晶体管的漏极、所述基于化合物的HEMT晶体管的源极或者基于化合物的HEMT晶体管的漏极与所述基于化合物的HEMT晶体管的源极短接以作为所述第一电平平移元件的负极，所述基于化合物的HEMT晶体管的栅极作为所述第一电平平移元件的正极。

6.如权利要求1所述的基于化合物的纯耗尽型逻辑电路，其特征在于，所述单电源为负压电源，所述反相电路和所述电平转换电路均与所述负压电源连接，所述负压电源配置为提供负压电压；

所述反相电路具体配置为基于所述耗尽型HEMT晶体管根据所述负压电压对所述第一逻辑信号进行反相，以输出所述第二逻辑信号；

所述电平转换电路具体配置为接入所述输入信号和所述负压电压，并根据所述负压电压对所述输入信号进行分压和电平位移，以输出所述第一逻辑信号。

7.如权利要求6所述的基于化合物的纯耗尽型逻辑电路，其特征在于，所述反相电路包括第二负载、第二耗尽型HEMT晶体管、第三二极管以及第四电阻；

所述第四电阻的第一端作为所述反相电路的输入端，与所述电平转换电路连接，以输入所述第一逻辑信号；

所述第四电阻的第二端与所述第二耗尽型HEMT晶体管的栅极连接，所述第二耗尽型HEMT晶体管的源极与所述第三二极管的正极连接；

所述第三二极管的负极作为所述反相电路的负压电压输入端，与负压电源连接，以接入负压电压；

所述第二耗尽型HEMT晶体管的漏极和所述第二负载的第一端共同作为所述反相电路的输出端，以输出所述第二逻辑信号；

所述第二负载的第二端与电源地连接。