[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在玻璃基底(1)上由下至上依次沉积FTO透明导电层(2)、硫化镉窗口层(3)和碲化镉光吸收层(4)；

进行P1激光划刻，通过激光刻蚀碲化镉光吸收层(4)、硫化镉窗口层(3)和FTO透明导电层(2)，获得第一刻线沟槽(14)，然后在第一刻线沟槽(14)内填充光刻胶；

进行P2激光划刻，通过激光刻蚀碲化镉光吸收层(4)和硫化镉窗口层(3)，获得第二刻线沟槽(15)；

在碲化镉光吸收层(4)上沉积背电极层(5)，所述背电极层(5)填充进第二刻线沟槽(15)内且覆盖碲化镉光吸收层(4)表面；

进行P3激光划刻，通过激光刻蚀背电极层(5)、碲化镉光吸收层(4)和硫化镉窗口层(3)，获得第三刻线沟槽(16)；

在背电极层(5)上设置引流条和汇流条，采用胶膜和盖板玻璃进行封装，安装好接线盒(13)，得到碲化镉薄膜太阳能电池组件。

2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述P1激光划刻采用波长为355nm的激光。

3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述P2激光划刻采用波长为532nm的激光。

4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述P3激光划刻采用波长为532nm的激光。

5.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述硫化镉窗口层(3)和碲化镉光吸收层(4)均采用近空间升华法获得。

6.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述背电极层(5)的材料为钼，且背电极层(5)采用磁控溅射法获得。

7.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述P2激光划刻的第二刻线沟槽(15)以P1激光划刻的第一刻线沟槽(14)为基准，二者的间距为30-125μm。

8.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述P3激光划刻的第三刻线沟槽(16)以P2激光划刻的第二刻线沟槽(15)为基准，二者的间距为30-125μm。

9.一种采用权利要求1-8任一项所述的制备方法制备的碲化镉薄膜太阳能电池组件，所述太阳能电池组件依次设有第一电池区、第二电池区和第三电池区，所述第一电池区设有第一电极，第一电池区与第二电池区之间设有共用的第二电极，所述第二电池区与第三电池区之间设有共用的第三电极，所述第三电池区设有第四电极；所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极分别设有第一引流条(6)、第二引流条(7)、第三引流条(8)和第四引流条(9)，所述第一引流条(6)与第三引流条(8)之间连接有第一汇流条(10)，所述第二引流条(7)与第三引流条(8)之间连接有第二汇流条(11)，所述第二汇流条(11)设有中断部，所述中断部设有接线盒(13)，所述第二引流条(7)与第四引流条(9)之间连接有第三汇流条(12)。

10.根据权利要求9所述的碲化镉薄膜太阳能电池组件，其特征在于，当第二电极为共用正极，第三电极为共用负极时，共用正极两端区域激光刻线镜像对称，相邻两个电池区P3激光划刻的第三刻线沟槽(16)相邻，共用负极两端区域激光刻线镜像对称，相邻两个电池区P1激光划刻的第一刻线沟槽(14)相邻；当第二电极为共用负极，第三电极为共用正极时，共用正极两端区域激光刻线镜像对称，相邻两个电池区P3激光划刻的第三刻线沟槽(16)相邻；共用负极两端区域激光刻线镜像对称，相邻两个电池区P1激光划刻的第一刻线沟槽(14)相邻。