[发明专利]一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法在审
| 申请号： | 202111671310.2 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114293166A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;毛德源;赵晓宇;温嘉红;刘佳;孔哲;张鉴;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/58;G01N21/65;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 散布 纳米 线条 半球 结构 制备 方法 | ||
1.一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：
(A)清洗硅片；
(B)利用自组装法，在具有亲水性表面的Si衬底上自组装出密排的聚苯乙烯胶体球阵列，得到有序纳米图纹化结构模板；
(C)在步骤(B)中得到的有序纳米图纹化结构模板表面磁控溅射一些金膜，溅射时间为30-150s；金膜的直径为10～150纳米；
(D)对步骤(C)中得到的镀有金膜的有序纳米图纹化结构模板进行倒置；
(E)对步骤(D)中倒置得到的模板平行刻蚀；等离子源刻蚀时间为1～300min，离子源刻蚀功率为10～500w。
2.根据权利要求1所述的一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于：清洗硅片，具体为：将硅片并放入烧杯中，在烧杯中分别加入体积比为1:2:6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中；将烧杯放在烤焦台上加热至沸腾，并保持煮沸10-20min，冷却后将液体倒出，依次用去离子水，无水乙醇反复超声10-15min。
3.根据权利要求1所述的一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于，所述的聚苯乙烯胶体球的直径为200～1000nm。
4.根据权利要求1所述的一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于，步骤(C)中金膜的直径为30纳米。
5.根据权利要求1所述的一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于，所述的步骤(E)中等离子源刻蚀时间为30min，离子源刻蚀功率为200w。
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