[发明专利]电流传感器及其集成电路装置在审
| 申请号: | 202111669127.9 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN114371329A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | 郑律;陈占胜;夏凌辉;黄禾 | 申请(专利权)人: | 浙江森尼克半导体有限公司 |
| 主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
| 代理公司: | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人: | 李品 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市萧*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电流传感器 及其 集成电路 装置 | ||
本申请公开了一种电流传感器及其集成电路装置。其中,集成电路装置包括:基板,形成有相对设置的第一表面和第二表面;第一类引线构架,用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径;和若干磁场换能器,设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧;其中,第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部;第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口;第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。本申请的有益之处在于:提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。
技术领域
本申请涉及一种电流传感器及其集成电路装置。
背景技术
如本领域公知的是,一种常规的电流传感器采用了位于导电体附件的磁场换能器(例如霍耳效应换能器或磁阻换能器)。磁场换能器所产生输出信号的幅值与流经所述导电体的电流的感应磁场成比例。
某些典型的霍耳效应电流传感器包括一个有隙的环形磁通集中器,且霍耳效应元件被布置在环形铁心的间隙中。霍耳效应器件和环形铁心被组装到一个壳体中,该壳体被安装到一个印刷电路板上。在使用过程中,单路导电体一例如电线穿过环形铁心的中心。无论是在高度方面,还是在电路板面积方面,这样的装置都趋于使尺寸不利地增大。
其它的霍耳效应电流传感器包括安装在一介电材料(例如电路板)上的霍耳效应元件。在第EP0867725号欧洲专利申请中公开了此类电流传感器中的一种。另外一些其它的霍耳效应电流传感器包括安装在一个基板上的霍耳效应元件,其中的基板例如是硅基板,第EP1111693号欧洲专利申请就公开了这样的电流传感器。
其些类似集成电路装置中,采用引线构架对霍尔元件环绕的方式实现其功能,如在CN200480024296.5专利申请中公开的电流传感器,但是在这样结构中,在收到外部磁场影响时,引线构架的磁场受到干扰从而导致检测精度收到影响。
发明内容
本申请的内容部分用于以简要的形式介绍构思,这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。本申请的内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征,也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
本申请的一些实施例提出了一种集成电路装置,包括:基板,形成有相对设置的第一表面和第二表面;第一类引线构架,用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径;和若干磁场换能器,设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧;其中,第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部;第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口;第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。
进一步的,第一方向与第二方向为相对垂直的方向。
进一步的,第一方向和第二方向所成夹角的取值范围为5度至85度。
进一步的,第一敞口至少包括一个平行于第一方向的直线的敞口边缘。
进一步的,第一敞口至少包括两个沿第一方向平行设置的直线的敞口边缘。
进一步的,直线的敞口边缘延伸至包围磁场换能器的位置。
进一步的,第二敞口至少包括一个平行于第二方向的直线的敞口边缘。
进一步的,第二敞口至少包括两个沿第二方向平行设置的直线的敞口边缘。
进一步的,直线的敞口边缘延伸至包围磁场换能器的位置。
作为本申请的第二方面,本申请的一些实施例提供了一种电流传感器,该电流传感器包括前述的集成电路装置。
本申请的有益效果在于:提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。
附图说明
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